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[常見問題解答]靜態特性對比分析：Si與SiC MOSFET在參數表現上的差異[ 2025-04-19 11:35 ]

在當今高性能電力電子領域，MOSFET被廣泛應用于開關電源、電機控制和功率變換系統中。隨著對高效率、高電壓能力的需求不斷增長，基于碳化硅材料（SiC）的MOSFET逐步進入工業和商用市場，成為傳統硅基MOSFET（Si MOSFET）的有力替代者。1. 開啟閾值電壓 Vth 的比較在柵極驅動控制方面，MOSFET的開啟閾值電壓起著至關重要的作用。通常，Si MOSFET的Vth范圍集中在2V到4V之間，而SiC MOSFET則略高，普遍在3V到5V之間。這意味著SiC器件在驅動電路設計上更傾向于使用高壓柵極驅動信號

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[常見問題解答]SiC MOSFET柵極氧化層老化機制與評估方法解析[ 2025-04-07 11:17 ]

隨著碳化硅（SiC）器件在高壓、高溫和高頻電力轉換領域的逐步普及，其可靠性研究成為保障系統穩定運行的重要環節。作為SiC MOSFET核心結構之一的柵極氧化層，其老化機制直接影響整個器件的電氣性能與壽命預期。因此，深入理解其老化過程，并構建科學合理的評估體系，對實現器件可靠性管理具有重要價值。一、柵極氧化層的老化機制剖析SiC MOSFET通常采用熱氧化方式形成的二氧化硅（SiO?）作為柵氧材料。相比硅MOSFET，SiC器件在高電場與高溫環境下工作更為頻繁，因此其柵氧層在長期應力作用下易出現退化現象。柵氧層老化主

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[常見問題解答]突破性SiC失效檢測方案：如何精準定位故障根源[ 2024-12-13 11:39 ]

隨著功率半導體技術的不斷發展，碳化硅（SiC）材料以其優異的電性能、耐高溫、耐輻射等優點，廣泛應用于現代能源、汽車、通信等領域。對于高功率和高頻應用，SiC器件顯示出顯著的優勢。然而，SiC器件在高電壓、大電流等極端工作條件下的失效問題仍然是亟待解決的問題，其根本原因已成為半導體行業的重要研究課題。二、SiC器件的故障特征SiC作為第三代半導體材料，與傳統硅相比具有顯著改進。它更大的帶隙使其能夠在更高的電壓和溫度下工作，而更高的導熱率使其能夠承受更大的熱應力。然而，高溫和頻繁開關使SiC器件容易出現故障、過熱等問題

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[常見問題解答]SiC器件開關性能受系統寄生參數影響的深入探討[ 2024-09-04 14:36 ]

隨著碳化硅（SiC）技術的不斷成熟和推廣，其在高壓電力電子設備中的應用日益增加。SiC器件因其能在高溫、高壓和高頻率條件下工作而受到青睞。然而，系統內部的寄生參數，如寄生電容和寄生電感，對SiC器件的開關性能有著顯著影響。本文通過詳細分析，探討這些系統寄生參數是如何影響SiC器件的性能，尤其是在開關操作中的具體表現。一、寄生電感的影響在電力電子轉換系統中，寄生電感主要來源于電連接和布線。在SiC MOSFETs和二極管開關時，寄生電感可以引起顯著的電壓超調，從而對器件造成額外的電壓應力。當開關器件嘗試快速切換時，這

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[常見問題解答]深入探討：碳化硅在先進電子設備中的關鍵作用[ 2024-07-30 12:11 ]

1. 碳化硅MOSFET的驅動門極電壓與導通電阻之謎研究表明，SiC MOSFET的漂移層阻抗遠低于Si MOSFET，但其溝道遷移率較低，導致阻抗略高。因此，提升門極電壓有助于降低導通電阻。使用Vgs=18V的驅動電壓，可以最大化其低導通電阻的性能，推薦負壓設置為約-3。此外，市場上已有Vgs=15V和預計將推出Vgs=12V的碳化硅MOSFET，旨在與硅基器件的驅動電壓統一。2. SiC器件與傳統硅器件的對比SiC器件的絕緣擊穿場強是Si的10倍，允許使用更薄的漂移層來實現高耐壓。因此，在相同耐壓下，SiC的標

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[常見問題解答]SiC肖特基二級管在充電機電路中的應用介紹[ 2023-06-30 18:04 ]

車載充電機是電動汽車內部的核心部件，其功能是按照電池管理系統的指令，動態調節充電電流和電壓參數，完成電動汽車的充電過程。作為一款電力電子設備，車載充電機功率電路主要由AC-DC和DC-DC電路組成。車載充電機充電框圖隨著電動汽車技術的不斷發展和人們日益增長的充電效率需求，車載充電機的性能也在不斷地提升。傳統的Si器件由于其耐壓和開關頻率的限制，已經不能滿足車載充電機日益增長的性能需求。而高耐壓、低損耗且具有高速開關特性的SiC器件，正逐步取代Si器件成為車載充電機的主流應用。下面我們以6.6kW車載充電機為例，介

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[常見問題解答]提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性[ 2021-01-12 17:41 ]

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性半導體市場的最新趨勢是廣泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工業和汽車應用的肖特基勢壘二極管（SBD）和功率MOSFET。與此同時，由于可供分析的現場數據有限，這些器件的長期可靠性成為一個需要解決的熱點問題。一些SiC供應商已開始根據嚴格的工業和汽車（AEC-Q101）標準來認證SiC器件，而另一些供應商不但超出了這些認證標準的要求，還能為惡劣環境耐受性測試提供數據。為了使SiC器件在任務和安全關鍵型應用中保持較高的普及率，應將這種認證和測試策略與特定的設計規則

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