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        12N10場效應(yīng)管參數(shù)中文資料 選型替代 MOS管生產(chǎn)廠家 - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-09-15 瀏覽:-

        12N10場效應(yīng)管參數(shù)中文資料 選型替代 MOS管生產(chǎn)廠家 - 壹芯微

        12N10場效應(yīng)管主要參數(shù) 極性:N溝道;電壓(VDSS):100V;電流(ID):12A;封裝(Pageke):TO-252

        大芯片,高品質(zhì),原廠批量直銷,提供技術(shù)支持,免費送樣測試,替代原裝進口品牌型號

        12N10

        絕對最大額定參數(shù)

        漏源電壓 (VGS=0) VDSS:100 V

        柵源電壓 VGSS:±20 V

        漏極電流連續(xù) TC=25°C ID:12 A

        漏極電流連續(xù) TC=100°C ID:8.5 A

        脈沖漏極電流(注 2)IDM:48 A

        功耗 TO-220 PD:73 W

        功耗 SOP-8 PD:5 W

        雪崩能量(注 3) EAS:100 mJ

        結(jié)溫 TJ:+150 °C

        儲存溫度 TSTG:-55~+150 °C

        注意: 1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設(shè)備的那些值。

        絕對最大額定值僅是應(yīng)力額定值,并不暗示功能設(shè)備操作。

        2.脈沖寬度受安全工作區(qū)限制

        3. 啟動 TJ=25°C,ID=12A,VDD=50V

        12N10參數(shù)

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        地 址/Address

        工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
        深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
        電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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