12N65場效應管參數(shù),12N65參數(shù)規(guī)格書選型代換

12N65系列場效應管TO-220封裝引腳圖：

壹芯微供應12N65系列的場效應管型號如下（尾綴不同，參數(shù)一致，主要區(qū)分材質、封裝與包裝方式）

12N65L-TA3-T 12N65G-TA3-T 封裝形式TO-220

12N65L-TF1-T 12N65G-TF1-T 封裝形式TO-220F1

12N65L-TF2-T 12N65G-TF2-T 封裝形式TO-220F2

12N65L-TF3-T 12N65G-TF3-T 封裝形式TO-220F

12N65L-T2Q-T 12N65G-T2Q-T 封裝形式TO-262

12N65L-TQ2-T 12N65G-TQ2-T 封裝形式TO-263

12N65L-TQ2-R 12N65G-TQ2-R 封裝形式TO-263

12N65L-T3P-T 12N65G-T3P-T 封裝形式TO-3P

12N65L-T3N-T 12N65G-T3N-T 封裝形式TO-3PN

12N65.pdf 規(guī)格書查看下載

12N65系列特性參數(shù)如下：

* RDS(ON)<0.85Ω @ VGS=10V，ID=6.0A

* 超低柵極電荷（典型值 42 nC）

* 低反向傳輸電容（CRSS=典型值25pF）

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

* 改進的dv/dt能力，高耐用性

12N65系列絕對最大額定參數(shù)如下：（TC=25°C，除非另有說明）

極性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：650V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏極電流連續(xù),I_D：12A

PowerDissipation功耗,TO-220/TO-262/TO-263,P_D：225W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,P_D：50W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1 ,P_D：51W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,P_D：54W

PowerDissipation功耗,TO-3P/TO-3PN,P_D：260W

Junction Temperature結溫,T_J：+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和儲存溫度,T_OPR,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微12N65規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

【壹芯微】半導體功率器件制造廠商，專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)與銷售：二極管/三極管/MOS場效應管/橋堆等，20年生產(chǎn)經(jīng)驗，始終堅信質量就是生命，除提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制產(chǎn)品選型，直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，如需咨詢產(chǎn)品或遇到需要幫助解決的問題，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服，或留言并留下聯(lián)系方式，我們將為您轉接銷售業(yè)務或工程師為您解答。

銷售業(yè)務：13534146615(黃先生)

QQ：2881579535