FQP12N65選型替代,12N65場效應管參數中文資料PDF - 壹芯微

12N65場效應管參數(電流(ID):12A,電壓(VDSS):650V),N溝道增強型場效應晶體管,10N65場效應管封裝形式為TO220,10N65場效應管封裝引腳規格書(PDF)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS絕對最大額定值(Ta=25℃)

SYMBOL符號 | PARAMETER參數 | VALUE價值 | UNIT單元

VDSS，Drain-Source Voltage漏源電壓： 650V 

VGS，Gate-Source Voltage-Continuous柵源電壓-連續：±30V 

ID，Drain Current-Continuous漏極電流-連續：12A 

IDM，Drain Current-Single Plused漏極電流-單加：48A 

PD，Total Dissipation總耗散@Tc=25℃：225W 

TJ|Max. Operating Junction Temperature最大工作結溫：150℃

Tstg Storage Temperature儲存溫度：-55～150℃

壹芯微（Yixin）專注二三極管MOS功率器件研發、生產、銷售一體化服務，是國內知名功率半導體制造商。壹芯微產品高質量、高標準、高性價比、精益求精、品質如一，提供選型替代/免費送樣/技術支持/售后服務。主要生產各式貼片/直插、肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復二極管、低壓降二極管、場效應管(MOSFET)、可控硅(晶閘管)、三端穩壓管(穩壓電路)、橋堆等功率器件選型產品。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設備、專業生產系列精密設備等，芯片技術源自臺灣，完美替代進口品牌，產品通過歐盟多個管理體系認證，應用領域廣泛，優質研發技術團隊為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網在線客服或請致電135 3414 6615