150N03場效應管參數中文資料PDF(選型替代DC003NG) - 壹芯微

150N03(N溝道增強型場效應晶體管)；150N03場效應管參數；150N03場效應管封裝引腳圖；150N03場效應管中文資料規格書(PDF)；

電流(ID)：150A，電壓(VDSS)：30V，封裝形式：TO252

產品概要

* 150A, 30V, RDS(ON)=4.1m? @ VGS=10V, ID=75A

   RDS(ON)=4.6m? @ VGS=4.5V, ID=75A

* 高切換速度

* 高功率和電流處理能力

* 符合RoHS

絕對最大額定參數（TC=25C，除非另有說明）

Drain-Source Voltage漏源電壓VDSS：30V

Gate-Source Voltage柵源電壓 VGSS：±20V

Drain Current Continuous漏極電流持續ID：150A

Drain Current Pulsed漏極電流脈沖IDM：266A

Single Pulsed Avalanche Energy單脈沖雪崩能量(注 2)EAS：300mJ

Power Dissipation功耗PD：160W

Power Dissipation Derate above 25°C以上功率耗散降額PD：1.07W/°

Junction Temperature結溫TJ：+150 °C

Storage Temperature儲存溫度TSTG：-55~+150 °C

注意：絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。

壹芯微科技（Yixin）國內知名功率半導體制造商。主要生產各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復、低壓降、場效應管(MOSFET)、可控硅、三端穩壓管、IC集成電路、橋堆。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設備、配備高標準可靠性測試實驗室等，對每一批產品質量嚴控把關；壹芯微首席工程師曾多年服務于臺灣強茂，有著豐富的研發生產經驗，為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網在線客服或聯系以下

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