1N65場效應管參數代換,1N65中文資料規格書

1N65系列場效應管TO-252封裝引腳圖：

壹芯微供應1N65系列的場效應管型號如下（尾綴不同，參數一致，主要區分材質、封裝與包裝方式）

1N65L-AA3-R 1N65G-AA3-R 封裝形式SOT-223

1N65L-TA3-T 1N65G-TA3-T 封裝形式TO-220

1N65L-TF3-T 1N65G-TF3-T 封裝形式TO-220F

1N65L-TM3-T 1N65G-TM3-T 封裝形式TO-251

1N65L-TMA-T 1N65G-TMA-T 封裝形式TO-251L

1N65L-TN3-R 1N65G-TN3-R 封裝形式TO-252

1N65L-T60-K 1N65G-T60-K 封裝形式TO-126

1N65L-T92-B 1N65G-T92-B 封裝形式TO-92

1N65L-T92-K 1N65G-T92-K 封裝形式TO-92

1N65L-K08-5060-R 1N65G-K08-5060-R 封裝形式DFN5060-8

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1N65系列特性參數如下：

* RDS(ON)<12.5Ω @ VGS=10V, ID=0.6A

* 超低柵極電荷（典型值5.0nC）

* 低反向傳輸電容（CRSS=典型值3.0pF）

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

* 改進的dv/dt能力，高耐用性

1N65系列絕對最大額定參數如下：（TC=25°C，除非另有說明）

極性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：650V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏極電流連續,I_D：1.2A

PowerDissipation功耗,SOT-223,P_D：8W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251L/TO-252,P_D：28W

PowerDissipation功耗,TO-220,P_D：40W

PowerDissipation功耗,TO-220F,P_D：21W

PowerDissipation功耗,TO-92 (TA=25°C),P_D：1W

PowerDissipation功耗,TO-126,P_D：12.5W

PowerDissipation功耗,DFN5060-8,P_D：14W

Junction Temperature結溫,T_J：+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和儲存溫度,T_OPR,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微1N65規格書下還有熱特性，靜態特性與電氣參數等，建議自行閱讀觀看。

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