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        20N03 TO-252參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-07-13 瀏覽:-

        20N03 TO-252參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

        20N03(20A,30V N溝道場效應(yīng)晶體管)

        品牌:壹芯微|類型:場效應(yīng)管|封裝:TO-252|參數(shù)達(dá)標(biāo) 質(zhì)量穩(wěn)定 免費(fèi)樣品 歡迎咨詢


        20N03場效應(yīng)管主要參數(shù)
        參數(shù)\型號20N03

        極性N

        ID(A)20

        VDSS(V)30

        RDS(ON):Max(Ω)0.02

        RDS(ON):VGS(Ω)10

        VGS(th):(V)1~3

        Gfs(min):(S)25

        Gfs(min):Vgs(V)10

        Gfs(min):Io(A)10

        封裝TO-252


        概述:

        20N03/TO-252采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷,它可用于多種應(yīng)用。


        特性:

        · ID = 120A

        · VDS=30V

        · RDS(ON)=3.8mΩ @ VGS=10V

        · 低柵極電荷(典型 54nC)

        · 快速切換

        · 100% 雪崩測試

        · 高功率和電流處理能力

        · 高切換速度


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