30N03場效應管參數中文資料(PDF) 選型替換 現貨廠商 - 壹芯微

30N03(N溝道增強型場效應晶體管)；30N03場效應管參數；30N03場效應管封裝引腳圖；30N03場效應管中文資料規格書(PDF)；

電流(ID)：30A，電壓(VDSS)：30V，封裝形式：TO252

產品概要

* RDS(ON)=30mΩ @VGS=10V

* 低電容

* 優化柵極電荷

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

絕對最大額定參數（TC=25C，除非另有說明）

漏源電壓 VDS 30V

柵源電壓 VGS ±20V

持續漏極電流 ID 30A

脈沖漏極電流 IDM 40A

雪崩能量 EAS 90mJ

功耗 TO-220F PD 47W

功耗 TO-252F PD 42W

結溫 TJ +150 °C

儲存溫度 TSTG -55~+150 °C

注意：絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

絕對最大額定值僅是應力額定值，不暗示功能設備操作

壹芯微（Yixin）專注二三極管MOS功率器件研發、生產、銷售一體化服務，是國內知名功率半導體制造商。壹芯微產品高質量、高標準、高性價比、精益求精、品質如一，提供選型替代/免費送樣/技術支持/售后服務。主要生產各式貼片/直插、肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復二極管、低壓降二極管、場效應管(MOSFET)、可控硅(晶閘管)、三端穩壓管(穩壓電路)、橋堆等功率器件選型產品。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設備、專業生產系列精密設備等，芯片技術源自臺灣，完美替代進口品牌，產品通過歐盟多個管理體系認證，應用領域廣泛，優質研發技術團隊為各行業應用提供完美的解決方案與技術支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網在線客服或請致電135 3414 6615