4N50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),4N50參數(shù)規(guī)格書代換

4N50（4A,500V N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管）封裝形式：TO-252,TO-251,TO-220,TO-220F

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4N50的概述：

4N50是一款N溝道模式功率MOSFET，采用先進(jìn)技術(shù)，為客戶提供平面條帶和 DMOS 技術(shù)。 該技術(shù)允許最小的通態(tài)電阻和卓越的開關(guān)性能。 它還可以承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖。

4N50一般應(yīng)用于高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正和基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器。

4N50的特性：

ID=4A

VDS=500V

RDS(ON)=2.0? @ VGS=10V

高開關(guān)速度

100%雪崩測(cè)試

4N50的絕對(duì)最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：500V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏極電流持續(xù)(TC=25°C),ID：4A

DrainCurrentPulsedDrainCurrentPulsed(Note3),IDM：16(Note2)A

AvalancheCurrent雪崩電流(注3),IAR：4A

PowerDissipation功耗TO-220,PD：85W

PowerDissipation功耗TO-220F,PD：28W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,PD：52W

JunctionTemperature結(jié)溫,TJ：+150°C

StorageTemperature儲(chǔ)存溫度,TSTG：-55~+150°C

壹芯微4N50規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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