4N65場效應(yīng)管參數(shù)資料,4N65參數(shù)手冊PDF下載

4N65系列場效應(yīng)管TO-220封裝引腳圖：

壹芯微供應(yīng)4N65系列的場效應(yīng)管型號如下（尾綴不同，參數(shù)一致，主要區(qū)分材質(zhì)、封裝與包裝方式）

4N65L-TA3-T 4N65G-TA3-T 封裝形式TO-220

4N65L-TF1-T 4N65G-TF1-T 封裝形式TO-220F1

4N65L-TF2-T 4N65G-TF2-T 封裝形式TO-220F2

4N65L-TF3-T 4N65G-TF3-T 封裝形式TO-220F

4N65L-TF3T-T 4N65G-TF3T-T 封裝形式TO-220F3 

4N65L-TM3-T 4N65G-TM3-T 封裝形式TO-251

4N65L-TMS-T 4N65G-TMS-T 封裝形式TO-251S

4N65L-TMS2-T 4N65G-TMS2-T 封裝形式TO-251S2

4N65L-TMS4-T 4N65G-TMS4-T 封裝形式TO-251S4

4N65L-TN3-R 4N65G-TN3-R 封裝形式TO-252

4N65L-TND-R 4N65G-TND-R 封裝形式TO-252D

4N65L-T2Q-T 4N65G-T2Q-T 封裝形式TO-262

4N65L-TQ2-R 4N65G-TQ2-R 封裝形式TO-263

4N65L-TQ2-T 4N65G-TQ2-T 封裝形式TO-263

4N65G-K08-5060-R 4N65G-K08-5060-R 封裝形式DFN5060-8

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4N65系列特性參數(shù)如下：

* RDS(ON)<2.5Ω @ VGS=10V，ID=2.2A

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

* 改進(jìn)的dv/dt能力，高耐用性

4N65系列絕對最大額定參數(shù)如下：（TC=25°C，除非另有說明）

極性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：650V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏極電流連續(xù),I_D：4.0A

PowerDissipation功耗,TO-220/TO-262/TO-263,P_D：106W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F3,P_D：35W

PowerDissipation功耗,TO-220F2 ,P_D：36W

PowerDissipation功耗,TO-251/ TO-251S/TO-251S2/TO-251S4/TO-252/TO-252D,P_D：50W

PowerDissipation功耗,DFN5060-8,P_D：30W

JunctionTemperature結(jié)溫,T_J：+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和儲存溫度,T_OPR,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微4N65規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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