「5N60,7N60,7N65」mos管和三極管兩者的對(duì)比與區(qū)別-壹芯微

型號(hào)：5N60(5A,600V) 7N60(7A,600V) 7N65(7A,650V)

品牌：壹芯微|類型：場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET|封裝：TO-252/TO-220等|多種封裝 尺寸不同 參數(shù)一致 免費(fèi)樣品 歡迎咨詢

MOS管是電壓控制電流源,控制電壓和電流屬于不同的支路，因而電壓的求解一般不難,進(jìn)而根據(jù)漏極電流表達(dá)式來(lái)求出電流值，然后進(jìn)行模型分析,求出跨導(dǎo)和輸出電阻。而三極管要先建立模型，然后進(jìn)行電路分析，求解過(guò)程特別是計(jì)算很復(fù)雜,容易出錯(cuò)；總體而言，我覺(jué)得MOS管的分析要比三極管簡(jiǎn)單一些。

三極管和MOS管的不同之處：

一、在三極管中,空穴和自由電子都參與導(dǎo)電，稱為雙極型器件，用BJT表示；而MOS管只有多子導(dǎo)電,稱為單極型器件，用FET表示.由于多子濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響,在環(huán)境變化劇烈的條件下,選用FET比較合適。這也就是我們通常所說(shuō)的MOS管比較穩(wěn)定的原因。

二、在放大狀態(tài)工作時(shí)，三極管發(fā)射結(jié)正偏,有基極電流，為電流控制器件,相應(yīng)的輸入電阻較小，約103Ω；FET在放大狀態(tài)工作時(shí)無(wú)柵極電流，為電壓控制器件，輸入電阻很大，JFET的輸入電阻大于107Ω，MOS管的輸入電阻大于109Ω。

三、MOS管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上對(duì)稱，可以互換使用(但應(yīng)注意,有時(shí)廠家已將MOS管的源極與襯底在管內(nèi)已經(jīng)短接，使用時(shí)就不能互換)。對(duì)耗盡型MOS管的VGS可正、可負(fù)、可為零，使用時(shí)比較靈活。三極管的集電極和發(fā)射極一般不能互換使用。

四、在低電壓小電流狀態(tài)下工作時(shí)，F(xiàn)ET可作為壓控可變線性電阻器和導(dǎo)通電阻很小的無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)。

五、MOS管工藝簡(jiǎn)單，功耗小，適合于大規(guī)模集成。三極管的增益高，非線性失真小，性能穩(wěn)定。在分立元件電路和中、小規(guī)模集成電路中，三極管仍占優(yōu)勢(shì)。

六、三極管的轉(zhuǎn)移特性(ic-vbe的關(guān)系)按指數(shù)規(guī)律變化，場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性按平方規(guī)律變化，因此MOS管的非線性失真比三極管的非線性失真大。

七、MOS管的三種基本組態(tài)電路(共源、共漏和共柵)可以對(duì)照三極管的共發(fā)、共集和共基電路,由于場(chǎng)效應(yīng)管的柵極無(wú)電流,所以輸入電阻R'i≈∞。跨導(dǎo)gm比三極管的小一個(gè)數(shù)量級(jí)，gm我們可以用轉(zhuǎn)移特性求導(dǎo)得到

八、三極管可以說(shuō)是電流控制電流源的器件，而電流是通過(guò)輸入電阻的大小來(lái)體現(xiàn)的；但MOS管是電壓控制電流源的器件

九、記住四種mos管的特性曲線的方法：只需記住n溝道的emos管的曲線,它的Vgs是大于0的，且曲線呈遞增趨勢(shì)。而p溝道的emos的Vgs是小于0的,且呈現(xiàn)遞減趨勢(shì)．dmos的Vgs既有大于0的部分,又有小于0的部分,按照n溝道遞增,p溝道遞減的曲線特征就可以將dmos的特性曲線記住了

十、MOS管是電壓控制元件，而三級(jí)管是電流控制元件；MOS管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱為單極性器件，而三級(jí)管既有多子，也有少子導(dǎo)電,稱之為雙極性器件；MOS管靈活性比三級(jí)管好；MOS管的制造工藝更適合于集成電路。

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