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        5N65KL-TN3-R場效應管參數中文資料 現貨替代 廠家直營 - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發布日期 2021-09-16 瀏覽:-

        5N65KL-TN3-R場效應管參數中文資料 現貨替代 廠家直營 - 壹芯微

        5N65KL-TN3-R場效應管主要參數 極性:N溝道;電壓(VDSS):650V;電流(ID):5A;封裝(Pageke):TO-252

        大芯片,高品質,原廠批量直銷,提供技術支持,免費送樣測試,替代原裝進口品牌型號

        5N65KL-TN3-R

        漏源電壓 VDSS 650 V

        柵源電壓 VGSS ±30 V

        雪崩電流(注 2) IAR 5 A

        持續漏極電流 ID 5 A

        脈沖漏極電流(注 2) IDM 20 A

        雪崩能量單脈沖(注 3) EAS 160 mJ

        雪崩能量重復(注 2) EAR 10 mJ

        峰值二極管恢復 dv/dt(注 4)dv/dt 4.5 V/ns

        功耗 TO-220 PD 108 W

        功耗 TO-220F/TO-220F PD 1 W

        功耗 TO-220F3 PD 36 W

        功耗 TO-220F2 PD 38 W

        功耗 TO-251/TO-251S/TO-251S2/TO-251S4/TO-252/TO-252D PD 54 W

        結溫 TJ +150 °C

        工作溫度 TOPR -55 ~ +150 °C

        儲存溫度 TSTG -55 ~ +150 °C

        注意: 1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

        絕對最大額定值僅是應力額定值,并不暗示功能設備操作。

        2. 脈寬受 TJ(MAX) 限制

        3. L=12.8mH, IAS=5A, VDD=50V, RG=25Ω, 起始TJ=25°C

        4. ISD≤5A,di/dt≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始TJ=25°C

        5N65KL-TN3-R參數

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