60N03GH參數中文資料廠家直營 - 場效應MOS管 - 壹芯微

60N03GH場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：30V；電流(ID)：55A；封裝(Pageke)：TO-252；

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60N03絕對最大額定參數

V_DS 漏源電壓 30 V

V_GS 柵源電壓 ±20 V

I_D@T_C=25℃ 持續漏極電流,V_GS @ 10V 55 A

I_D@T_C=100℃ 持續漏極電流，V_GS @ 10V 35 A

I_DM 脈沖漏極電流¹ 215 A

P_D@T_C=25℃ 總功耗 62.5 W

線性降額因數 0.5W/°C

T_STG 儲存溫度范圍 -55 至 150 °C

T_J 工作結溫范圍 -55 至 150 °C

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