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        半橋電路之MOS管關(guān)鍵參數(shù)計(jì)算知識(shí)

        返回列表來(lái)源:壹芯微 發(fā)布日期 2020-10-22 瀏覽:-

        半橋電路之MOS管關(guān)鍵參數(shù)計(jì)算知識(shí)

        MOS管關(guān)鍵參數(shù)

        MOS管選型需要滿足幾個(gè)要求:

        1.足夠的漏-源電壓 VDS

        2.足夠的漏極電流 ID

        3.快速開關(guān)的能力和開通、關(guān)斷延時(shí)

        4.低的導(dǎo)通電阻Rds(on)

        例:如圖,假設(shè)該電路輸出功率為850W,負(fù)載8Ω,MOS管如何選型?

        1.Vds電壓是多少?

        根據(jù)P=U*U/R,得出輸出的平均電壓U=82V,這是平均值,需要轉(zhuǎn)化成峰值電壓Uo=√2*U=116V。 又因?yàn)殡娫蠢寐蕿?5%,所以Vp=Uo/85%=136V。Vn=-136V。所以Vds要大于136*2=272V。

        2.ID如何計(jì)算?

        根據(jù)P=I*I*R,得出I=10.3A。

        所以MOS管的選型應(yīng)Vds>272V,ID>10.3A。

        可初步選擇仙童的FDAF59N30,主要指標(biāo)如下

        1.漏-源電壓 VDS=300V

        2.漏極電流 ID=34A

        3.上升時(shí)間ton=140ns

        4.關(guān)斷時(shí)間toff=120ns

        5.電阻RDS(on) = 0.056?

        6.柵極電荷Q g =77nc

        從上述幾大指標(biāo)來(lái)看,該 MOS管的工作電壓、電流均滿足需求,在較短的開通和關(guān)斷遲時(shí)間保證了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

        MOS管驅(qū)動(dòng)如何選擇?

        可以通過(guò)計(jì)算得到MOS管在一個(gè)完整開關(guān)周期內(nèi)所需要的功率Pg。計(jì)算公式為:

        Pg=Vgs*Qg*fsw,其中Vgs柵極驅(qū)動(dòng)電壓,fsw為開關(guān)頻率。

        FDAF59N30在柵極驅(qū)動(dòng)電壓為 12V,開關(guān)頻率為200KHZ時(shí)的消耗功率為:

        Pg=12*77*10-9*200*103 =0.1848W

        驅(qū)動(dòng)需要提供的平均電流為:

        I= Pg/ Vgs=15.4mA。

        根據(jù)經(jīng)驗(yàn),在保證正常工作條件下FDAF59N30的典型開通和關(guān)斷時(shí)間約為200ns,因此可以反推出驅(qū)動(dòng)需要提供的瞬時(shí)電流為:

        Imax=Qg/t=77nc/200ns=385mA。

        所以MOS管驅(qū)動(dòng)需要需要提供的電流大于385mA。

        因?yàn)檫@是高壓MOS管,所以需要提供浮動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)能力。

        壹芯微科技針對(duì)二三極管,MOS管作出了良好的性能測(cè)試,應(yīng)用各大領(lǐng)域,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹

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