CJD01N80場效應管,CJD01N80參數中文資料 - 壹芯微

型號：CJD01N80 極性：N溝道；電壓：800V 電流：1A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

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CJD01N80的概述：

CJD01N80是N溝道模式功率 MOSFET，使用為客戶提供平面條紋的先進技術。 這個技術專門允許最小的通態電阻和優越的開關性能。 它還可以承受高能量脈沖在雪崩和換向模式。 CJD01N80是通用的應用于高效開關電源。

CJD01N80的特性：

優秀的包裝

高切換速度

100%雪崩測試

CJD01N80的應用：

電源開關應用

DC/DC 轉換器

CJD01N80的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDS：800 V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGS：±30 V

ContinuousDrainCurrent連續漏極電流,ID：1 A

PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流,IDM：4 A

SinglePulsedAvalancheEnerg單脈沖雪崩能量(注1),EAS：90 mJ

ThermalResistanceFromJunctionToAmbient從結到環境的熱阻,RθJA：100 ℃/W

JunctionTemperature結溫,TJ：150 °C

StorageTemperatureRange儲存溫度范圍,TSTG：-55~+150°C

MaximumLeadTemperatureForSolderingPurposes用于焊接目的的最高引線溫度，

1/8"FromCaseFor5Seconds距離外殼1/8"5秒,TL：260°C

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壹芯微CJD01N80規格書下還有熱特性，靜態特性與電氣參數等，建議自行閱讀觀看。

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