CJD02N65場效應(MOS管)參數 報價 原廠直銷 免費樣品 - 壹芯微

CJD02N65場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：650V；電流(ID)：2A；封裝(Pageke)：TO-252；

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漏源電壓 V_DS 650 V

柵源電壓 V_GSS ±20 V

持續漏極電流 I_D 2 A

脈沖漏極電流 I_DM 8 A

單脈沖雪崩能量 (note1) E_AS 128 mJ

功率耗散 P_D 1.25 W

從結到環境的熱阻 R_θJA 100 ℃/W

工作和儲存溫度范圍 T_J, T_STG -55 ~+150 ℃

用于焊接的最大鉛溫度，

距外殼1/8”5秒 TL 260 ℃

壹芯微致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發、生產與銷售，至今已有20年半導體行業研發、制造經驗。目前壹芯微產品已經在便攜性設備、電動車、LED照明、家電、鋰電保護、電機控制器等領域獲得廣泛應用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質量的國內優質產品。除提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制二三極管MOS管產品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費試樣熱線：13534146615(微信同號) QQ：2881579535 或請咨詢官網在線客服。