場效應(yīng)管前置放大器電路解析

圖1為100MHz，頻帶的RF放大器，RF放大器的要求是NF要良好增益要高，以往，這兩項要求總是會有顧此失彼的情形，因此要在電路上下一番工夫，但是近來由于元件及裝置等之性能改善很多，使用價廉的MOS FET就可以很簡單的制作完成。調(diào)整的方法如下所示：首先，請依圖2之方式配線，循跡產(chǎn)生器（Tracking Generator）之信號經(jīng)過阻抗橋（Impedance

Bridge），大約有－30～－40dBM的信號就輸入至前置放大器的輸入端，若輸入電平太大的話會使FET飽和，因此要特別注意。接著，調(diào)整天線輸入端的微調(diào)電容器（Trimmer）及輸入調(diào)諧微調(diào)電容器使SWR達1，意即將回流損失（Return Loss）調(diào)至最大，具體而言，若以頻譜分析儀（Spectrum AnaIyzer）將頻譜的電平調(diào)整至最小是最佳的方式。而輸出側(cè)微調(diào)電容器的調(diào)整方法與輸入側(cè)同樣，輸入適當(dāng)?shù)男盘枺{(diào)整使電路得到最大的增益。以上是以儀器調(diào)整的方法，但是在使用之際，還需要再接上實際使用的天線，再一次調(diào)整輸入微調(diào)電容器使接收的情況達到最佳。

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