來源：壹芯微 發布日期
2021-11-11 瀏覽：-低內阻場效應管 4N10 國產MOS管替換 MOSFET應用領域
低內阻場效應管 4N10的特點：
VDS=100V
ID=3.8A
RDS(ON)＜240mΩ@VGS=10V
封裝：SOT-23-3L
低內阻場效應管 4N10的應用領域：
負載開關
電池保護
不間斷電源
低內阻場效應管 4N10的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續 ID：3.5A
漏極電流-脈沖 IDM：8A
總耗散功率 PD：3.76W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結溫 TJ：-55~150℃
結到環境的熱阻 RθJA：70℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC：30℃/W
低內阻場效應管 4N10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
低內阻場效應管 4N10的封裝外形尺寸：
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