壹芯微作為國內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)快恢復(fù)二極管的生產(chǎn)廠家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩(wěn)定好品質(zhì),也有專業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質(zhì)量,協(xié)助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分析一些知識或者客戶的一些問題,來出來分享,今天我們分享的是，二極管的光刻工藝具體步驟,請看下方

為制造二極管，我們只能在隔離的區(qū)域內(nèi)進行摻雜，而不是在整個圓片上進行摻雜。此外，還需要在器件上制作接觸和互連。本節(jié)講述怎樣利用光刻在圓片上制造微小精確的結(jié)構(gòu)。光刻中，用具有精確限制結(jié)構(gòu)的掩膜在各步工藝中阻擋圓片的某些部分。

  我們來看看怎樣制作簡單的二極管(圖1)，p型圖片覆蓋上一層氧化層，接著是一層光刻膠，如圖(a)，光刻膠是光敏有機化合物，通常旋涂到硅片上。經(jīng)光照射會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，對于正膠，顯影會去除曝光后的光刻膠。對于負膠，顯影會去除沒有曝光的部分。加上掩膜版，只有在掩膜版透明的地方光刻膠才會被曝光。然后顯影，在光刻膠上留下圖形。
  接下來，圓片放在離子注入機中。施主離子注入氧化層(后面會被去除)和襯底中。半導(dǎo)體被離子轟擊的地方成為n型。這樣，n+阱就在p型襯底上生成。注意施主的注入數(shù)目必須超過背景受主濃度，才能使注入?yún)^(qū)成為n型。
  下一步，生成新的氧化層，這一層用另一個掩膜來限制離子注入，生成p型歐姆接觸的p+層。
  生長另一層氧化層，再在圓片上旋涂一層光刻膠。采用第三層掩膜版，形成制作接觸的兩個孔，當生成下一層金屬時，通過前面剩下的氧化層和p型襯底絕緣。
  最后形成金屬圖形，制作p區(qū)和n區(qū)的電接觸。接觸通過氧化層上的通孔形成。

  圖1 是二極管制造中的光刻。

    圖2中是用來制作16M比特的存儲器芯片的其中一個掩膜。掩膜版制作的比較大，再經(jīng)過投影縮小

圖2 16M比特的存儲器芯片的三個掩膜。掩膜版制作的較大，然后再投影縮小到最終的尺寸。