二極管動態電阻的意義介紹

沒什么特別的意義，設計和表征時用著方便，好記罷了。

所有器件其實都這樣，先是有物理學的某種現象以及基于那個現象的理論，然后造出來器件，器件有一些曲線可以部分地描述它的一些主要特性（例如MOS管的sah方程，寄生電容的方程等），然而這些方程可能用起來很困難，因此在方程的基礎上做一些簡化（MOS管不同區域的I-V關系），然而在實際的工程中這些簡化的方程用起來仍然很困難，于是再進行簡化，就得到了像是動態電阻，gm（本征增益）這類非常理想化的參數。

基于這些過度簡化過的參數，設計過程就可以簡單得多，例如如果要設計一個使用MOS管的開關電源，用完整的MOS管曲線來表達在數學上是非常難處理的，但如果簡化為“關斷時有一個關斷電阻，導通時有一個導通電阻”，分析起來就簡單很多。二極管那個所謂動態電阻也是同理。

這體現了一個“抓大放小”的原則，就是盡可能忽略掉對設計目標影響不大的參數，集中精力優化對性能影響最大的幾個參數。當然在現實中有些時候這些簡化會完全失效，例如工作在線性和飽和區之間的MOS管，工作在極端條件下的MOS管（超低電壓，窄溝道，高速），這些情況下就不能采用這些過度簡化的參數進行設計了

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