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        二極管在電力逆變器中的作用詳解

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2019-10-12 瀏覽:-

        在家電應(yīng)用中,最主要的就是高效率和節(jié)能,三相無刷直流電機正是因為具有效率高、尺寸小的優(yōu)點,被廣泛的應(yīng)用在家電設(shè)備及其他很多應(yīng)用中。除此之外,由于還將機械換向裝置替換成電子換向器,三相無刷電機進而被認為可靠性比原來更高了。

        在家電應(yīng)用中,最主要的就是高效率和節(jié)能,三相無刷直流電機正是因為具有效率高、尺寸小的優(yōu)點,被廣泛的應(yīng)用在家電設(shè)備及其他很多應(yīng)用中。除此之外,由于還將機械換向裝置替換成電子換向器,三相無刷電機進而被認為可靠性比原來更高了。

        標準的三相功率級(power stage)被用來驅(qū)動一個三相無刷直流電機,如圖1所示。功率級產(chǎn)生一個電場,為了使電機很好地工作,這個電場必須保持與轉(zhuǎn)子磁場之間的角度接近 90°。六步序列控制產(chǎn)生6個定子磁場向量,這些向量必須在一個指定的轉(zhuǎn)子位置下改變?;魻栃?yīng)傳感器掃描轉(zhuǎn)子的位置。為了向轉(zhuǎn)子提供6個步進電流,功率級利用6個可以按不同的特定序列切換的功率MOSFET。下面解釋一個常用的切換模式,可提供6個步進電流。

        二極管在電力逆變器中的作用

        MOSFET Q1、Q3和Q5高頻(HF)切換,Q2、Q4和Q6低頻(LF)切換。當一個低頻MOSFET處于開狀態(tài),而且一個高頻MOSFET 處于切換狀態(tài)時,就會產(chǎn)生一個功率級。

        步驟1) 功率級同時給兩個相位供電,而對第三個相位未供電。假設(shè)供電相位為L1、L2,L3未供電。在這種情況下,MOSFET Q1和Q2處于導通狀態(tài),電流流經(jīng)Q1、L1、L2和Q4。

        步驟2) MOSFET Q1關(guān)斷。因為電感不能突然中斷電流,它會產(chǎn)生額外電壓,直到體二極管D2被直接偏置,并允許續(xù)流電流流過。續(xù)流電流的路徑為D2、L1、L2和Q4。

        步驟3) Q1打開,體二極管D2突然反偏置。Q1上總的電流為供電電流與二極管D2上的恢復(fù)電流之和。顯示出其中的體-漏二極管。電流流入到體-漏二極管D2(見圖1),該二極管被正向偏置,少數(shù)載流子注入到二極管的區(qū)和P區(qū)。

        當MOSFET Q1導通時,二極管D2被反向偏置, N區(qū)的少數(shù)載流子進入P+體區(qū),反之亦然。這種快速轉(zhuǎn)移導致大量的電流流經(jīng)二極管,從N-epi到P+區(qū),即從漏極到源極。電感L1對于流經(jīng)Q2和Q1的尖峰電流表現(xiàn)出高阻抗。Q1表現(xiàn)出額外的電流尖峰,增加了在導通期間的開關(guān)損耗。

        為改善在這些特殊應(yīng)用中體二極管的性能,研發(fā)人員開發(fā)出具有快速體二極管恢復(fù)特性MOSFET。當二極管導通后被反向偏置,反向恢復(fù)峰值電流Irrm較小。

        結(jié)合一種簡單的逆變器電路圖分析PWM逆變器電路的工作原理

        電阻R2和電容C1套集成電路內(nèi)部振蕩器的頻率。預(yù)設(shè)R1可用于振蕩器的頻率進行微調(diào)。14腳和11腳IC內(nèi)部驅(qū)動晶體管的發(fā)射極終端。的驅(qū)動晶體管(引腳13和12)的集電極終端連接在一起,并連接到8 V軌(7808輸出)??稍贗C的引腳14和15兩個180度,淘汰50赫茲脈沖列車。

        這些信號驅(qū)動器在隨后的晶體管階段。當14腳的信號為高電平,晶體管Q2接通,就這反過來又使晶體管Q4,Q5,Q6點從目前的+12 V電源(電池)連接流一個通過的上半部分(與標簽的標記)變壓器(T1)中,小學通過晶體管Q4,Q5和Q6匯到地面。

        因此誘導變壓器二次電壓(由于電磁感應(yīng)),這個電壓220V輸出波形的上半周期。在此期間,11腳低,其成功的階段將處于非活動狀態(tài)。當IC引腳 11云高的第三季度結(jié)果Q7的獲取和交換,Q8和Q9將被打開。從+12 V電源通過變壓器的初級下半部和匯到地面通過晶體管的Q7,Q8,Q9,以及由此產(chǎn)生的電壓,在T2次級誘導有助于的下半部周期(標簽上標明)電流流 220V輸出波形。

        逆變電路的輸出電壓調(diào)節(jié)部分的工作原理

        二極管在電力逆變器中的作用

        逆變器輸出(T2的輸出)挖掘點的標記為B,C,并提供給變壓器T2的主。在變壓器T2的下降這個高電壓的步驟,橋梁D5整流它和這個電壓(將逆變器的輸出電壓成正比)是提供的PIN1通過奧迪R8,R9,R16和(該IC的內(nèi)部錯誤放大器的反相輸入)這個電壓與內(nèi)部參考電壓比較。

        此誤差電壓成正比的輸出電壓所需的值和IC調(diào)節(jié)占空比的驅(qū)動信號(引腳14和12)為了使輸出電壓為所需的值的變化。R9的預(yù)設(shè),可用于調(diào)節(jié)逆變器輸出電壓,因為它直接控制變頻器的輸出電壓誤差放大器部分的反饋量。

        二極管D3和D4續(xù)流二極管,保護驅(qū)動級晶體管的開關(guān)變壓器(T2)初選時產(chǎn)生的電壓尖峰。R14和R15限制基地的第四季度和Q7。R12和 R13為第四季度和Q7防止意外的開關(guān)ON下拉電阻。C10和C11是繞過從變頻器的輸出噪聲。C8是一個濾波電容的穩(wěn)壓IC 7805。R11的限制限制了電流通過LED指示燈D2的。

        電力逆變器中的二極管作用

        高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問題。三相無刷直流電機因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)備中以及很多其他應(yīng)用中。此外,由于采用了逆變器電子換向器代替機械換向裝置,三相無刷直流電機被認為可靠性更高。

        標準的三相功率級(power stage)被用來驅(qū)動一個三相無刷直流電機。功率級產(chǎn)生一個電場,為了使電機很好地工作,這個電場必須保持與轉(zhuǎn)子磁場之間的角度接近90°。六步序列控制產(chǎn)生6個定子磁場向量,這些向量必須在一個指定的轉(zhuǎn)子位置下改變?;魻栃?yīng)傳感器掃描轉(zhuǎn)子的位置。為了向轉(zhuǎn)子提供6個步進電流,功率級利用6個可以按不同的特定序列切換的功率MOSFET。下面解釋一個常用的切換模式,可提供6個步進電流。

        MOSFET Q1、Q3和Q5高頻(HF)切換,Q2、Q4和Q6低頻(LF)切換。當一個低頻MOSFET處于開狀態(tài),而且一個高頻MOSFET 處于切換狀態(tài)時,就會產(chǎn)生一個功率級。

        步驟1) 功率級同時給兩個相位供電,而對第三個相位未供電。假設(shè)供電相位為L1、L2,L3未供電。在這種情況下,MOSFET Q1和Q2處于導通狀態(tài),電流流經(jīng)Q1、L1、L2和Q4。

        步驟2)MOSFET Q1關(guān)斷。因為逆變器電感不能突然中斷電流,它會產(chǎn)生額外電壓,直到體二極管D2被直接偏置,并允許續(xù)流電流流過。續(xù)流電流的路徑為D2、L1、L2和Q4。

        步驟3)Q1打開,體二極管D2突然反偏置。Q1上總的電流為供電電流(如步驟1)與二極管D2上的恢復(fù)電流之和。

        顯示出其中的體-漏二極管。在步驟2,電流流入到體-漏二極管D2(見圖1),該二極管被正向偏置,少數(shù)載流子注入到二極管的區(qū)和P區(qū)。

        當MOSFET Q1導通時,二極管D2被反向偏置, N區(qū)的少數(shù)載流子進入P+體區(qū),反之亦然。這種快速轉(zhuǎn)移導致大量的電流流經(jīng)二極管,從N-epi到P+區(qū),即從漏極到源極。電感L1對于流經(jīng)Q2和Q1的尖峰電流表現(xiàn)出高阻抗。Q1表現(xiàn)出額外的電流尖峰,增加了在導通期間的開關(guān)損耗。圖4a描述了MOSFET的導通過程。

        為改善在這些特殊應(yīng)用中體二極管的性能,研發(fā)人員開發(fā)出具有快速體二極管恢復(fù)特性MOSFET。當二極管導通后被反向偏置,反向恢復(fù)峰值電流Irrm較小。

        在電力逆變電源中我們對比測試了標準的MOSFET和快恢復(fù)MOSFET。ST推出的STD5NK52ZD(SuperFREDmesh系列)放在Q2(LF)中,如圖4b所示。在Q1 MOSFET(HF)的導通工作期間,開關(guān)損耗降低了65%。采用STD5NK52ZD時效率和熱性能獲得很大提升(在不采用散熱器的自由流動空氣環(huán)境下,殼溫從60°C降低到50°C)。在這種拓撲中,MOSFET內(nèi)部的體二極管用作續(xù)流二極管,采用具有快速體二極管恢復(fù)特性MOSFET更為合適。

        SuperFREDmesh技術(shù)彌補了現(xiàn)有的FDmesh技術(shù),具有降低導通電阻,齊納柵保護以及非常高的dv/dt性能,并采用了快速體-漏恢復(fù)二極管。N溝道520V、1.22歐姆、4.4A STD5NK52ZD可提供多種封裝,包括TO-220、DPAK、I2PAK和IPAK封裝。該器件為工程師設(shè)計開關(guān)應(yīng)用提供了更大的靈活性。其他優(yōu)勢包括非常高的dv/dt,經(jīng)過100%雪崩測試,具有非常低的本征電容、良好的可重復(fù)制造性,以及改良的ESD性能。此外,逆變器與其他可選模塊解決方案相比,使用分立解決方案還能在PCB上靈活定位器件,從而實現(xiàn)空間的優(yōu)化,并獲得有效的熱管理,因而這是一種具有成本效益的解決方案。

        壹芯微科技針對二三極管,MOS管作出了良好的性能測試,應(yīng)用各大領(lǐng)域,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹

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