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來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-11-30 瀏覽：-FDD5N50NZF場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)_規(guī)格書下載(替代國(guó)外品牌型號(hào))MOS管生產(chǎn)廠家
FDD5N50NZF參數(shù)及代換,FDD5N50NZF封裝引腳圖,FDD5N50NZF規(guī)格書(數(shù)據(jù)手冊(cè))
(圖(如上)：FDD5N50NZF,MOS場(chǎng)效應(yīng)管,TO-252封裝引腳圖)
壹芯微供應(yīng)FDD5N50NZF系列場(chǎng)效應(yīng)管，可替代昂貴的國(guó)外知名品牌對(duì)應(yīng)型號(hào)。
FDD5N50NZF場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)如下：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 500 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGSS | ±25 | V |
| 雪崩電流 | IAR | 3.3 | A |
| 柵極-源極電壓(TJ=25°C) | ID | 3.7 | A |
| 柵極-源極電壓(TJ=100°C) | ID | 2.2 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 14 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 165 | mJ |
| 重復(fù)雪崩能量 | EAR | 6.25 | mJ |
| 二極管恢復(fù)峰值 | dv/dt | 20 | V/ns |
| 功耗,(TC=25°C) | PD | 62.5 | W |
| 功耗,(25°C以上降額) | PD | 0.5 | W |
| 工作結(jié)溫范圍 | TJ | -55~+150 | °С |
| 貯存溫度范圍 | TSTG | -55~+150 | °С |
| 焊接的最高引線溫度 | TL | 300 | °С |
| 熱阻-結(jié)到外殼 | RθJC | 2 | °C/W |
| 熱阻-結(jié)到環(huán)境 | RθJA | 62.5 | °C/W |
(參數(shù)表(如上)：絕對(duì)最大額定參數(shù)與電氣特性等)
FDD5N50NZF.PDF規(guī)格書/數(shù)據(jù)手冊(cè)(點(diǎn)擊紅色字體下載)
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