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        FDD8444_F085場效應管參數中文資料(PDF) 選型替換 現貨廠商 - 壹芯微

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        FDD8444_F085場效應管參數中文資料(PDF) 選型替換 現貨廠商 - 壹芯微

        FDD8444_F085場效應管參數中文資料(PDF) 選型替換 現貨廠商 - 壹芯微

        FDD8444_F085(N溝道增強型場效應晶體管);FDD8444_F085場效應管參數;FDD8444_F085場效應管封裝引腳圖;FDD8444_F085場效應管中文資料規格書(PDF);

        電流(ID):145A,電壓(VDSS):40V,封裝形式:TO252

        FDD8444_F085

        產品概要

        典型RDS(on)=4mW,VGS=10V,ID=50A

        Typ Qg(10)=89nC,VGS=10V,ID=50A

        低米勒電荷

        低Qrr體二極管

        UIS能力(單脈沖/重復脈沖)

        符合RoHS

        符合AECQ101

        絕對最大額定參數(TC=25C,除非另有說明)

        VDSS漏源電壓:40V

        VGS柵源電壓:±20V

        ID漏極電流連續 (VGS=10V):50A

        ID脈沖 圖:4A

        EAS單脈沖雪崩能量(注 1:535mJ

        PD功耗:153W

        25°C以上PD降額:1.02W/°C

        TJ、TSTG操作和儲存溫度:-55至+175 °C

        RqJC結到外殼的熱阻:0.98 °C/W

        RqJA熱阻結到環境,1in2銅焊盤面積:52 °C/W

        FDD8444_F085參數

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