來源：壹芯微 發布日期
2019-10-09 瀏覽：-高性能肖特基二極管材料
碳化硅（SiC）是一種高性能的半導體材料，基于SiC的肖特基二極管（SiC Schottky Diode）
具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術領域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。
肖特基二極管電路符號
碳化硅肖特基二極管特性
安森美半導體（onsemi）推出的FFSH30120ADN碳化硅肖特基二極管沒有開關損耗，利用新的半導體材料 —— 碳化硅（SiC）提升了硅二極管的系統效率，支持更高的工作頻率，并且有助于提高功率密度，降低系統尺寸/成本。
碳化硅肖特基二極管工作應用
肖特基二極管的作用
FFSH30120ADN碳化硅肖特基二極管可工作于1200V/30A環境，最大結溫175°C，雪崩額定值145mJ，高浪涌電流容量，正溫度系數，無反向恢復/無正向恢復，具有高可靠性，確保了在浪涌或過壓條件期間的可靠運行。
作為一種高壓二極管，FFSH30120ADN采用表面貼裝，主要用于開關電源、太陽能逆變器、UPS，以及電源開關電路等。
壹芯微科技針對二三極管,MOS管作出了良好的性能測試，應用各大領域，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
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