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        HFD1N65S場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),HFD1N65S規(guī)格書,MOS管廠家直銷

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-11-17 瀏覽:-

        HFD1N65S場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),HFD1N65S規(guī)格書,MOS管廠家直銷

        HFD1N65S參數(shù)及代換,HFD1N65S中文資料規(guī)格書下載

        壹芯微HFD1N65S參數(shù)(650V,0.9A),完美替代進(jìn)口品牌,樣品申請(qǐng),售后FEA

        HFD1N65S TO-252 封裝 引腳圖

        HFD1N65S.pdf 數(shù)據(jù)手冊(cè)(規(guī)格書)下載

        HFD1N65S詳細(xì)參數(shù)如下:

        參數(shù)符號(hào)單位
        漏極-源極電壓VDSS650V
        柵極-源極電壓VGSS±30V
        單脈沖雪崩電流IAR0.9A
        柵極-源極電壓ID0.9A
        漏極電流-脈沖IDM3.6A
        單脈沖雪崩能量EAS26mJ
        重復(fù)雪崩能量EAR2.8mJ
        二極管恢復(fù)峰值dv/dt4.5V/ns
        功耗,(TC = 25°C)PD2.5W
        工作結(jié)溫范圍TJ-55~+150 °С
        貯存溫度范圍TSTG-55~+150 °С
        用于焊接的最高引線溫度TL300 °С

        HFD1N65S規(guī)格書

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        地 址/Address

        工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
        深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
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