HY3010D替代原裝DH012TG場效應(yīng)管參數(shù)中文資料PDF - 壹芯微

HY3010D(N溝道增強型場效應(yīng)晶體管)；HY3010D場效應(yīng)管參數(shù)；HY3010D場效應(yīng)管封裝引腳圖；HY3010D場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書(PDF)；

電流(ID)：60A，電壓(VDSS)：100V，封裝形式：TO252

產(chǎn)品概要

100V/60A

RDS(ON)=10mΩ(典型值)@VGS=10V

100% 雪崩測試

可靠且堅固

提供無鹵和綠色設(shè)備

(符合RoHS)

絕對最大額定參數(shù)（TC=25C，除非另有說明）

漏源電壓VDSS：100V

柵源電壓VGSS：±25V

最高結(jié)溫TJ：175°C

儲存溫度范圍TSTG：-55to175°C

源電流-連續(xù)（體二極管）IS Tc=25°C：60A

安裝在大型散熱器上

IDM 脈沖漏極電流 * Tc=25°C：228A

ID 持續(xù)漏極電流 Tc=25°C：60A

ID 持續(xù)漏極電流 Tc=100°C：45A

PD 最大功耗 Tc=25°C：65W

PD 最大功耗 Tc=100°C：33W

RqJC 熱阻，結(jié)到殼：2.3°C/W

RqJA 熱阻，結(jié)到環(huán)境 **：110°C/W

EAS 單脈沖雪崩能量 *** L=0.5mH：355mJ

注：*重復額定值；脈沖寬度受最大結(jié)溫限制。

**表面安裝在 1in2 FR-4 板上。

***受TJmax限制，起始TJ=25°C，L=0.5mH，VDS=80V，VGS=10V

壹芯微科技（Yixin）國內(nèi)知名功率半導體制造商。主要生產(chǎn)各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復、低壓降、場效應(yīng)管(MOSFET)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、IC集成電路、橋堆。引進大量先進的晶體管選型封裝測試全自動化設(shè)備、配備高標準可靠性測試實驗室等，對每一批產(chǎn)品質(zhì)量嚴控把關(guān)；壹芯微首席工程師曾多年服務(wù)于臺灣強茂，有著豐富的研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗，為各行業(yè)應(yīng)用提供完美的解決方案與技術(shù)支持。如需報價或了解更多，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服或聯(lián)系以下

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