IGBT單管與MOS管的區(qū)別-MOSFET是MOS嗎

IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT；

多的這個(gè)P層因內(nèi)有載流子，有電導(dǎo)調(diào)制作用，可以使IGBT在跟高電壓和電流下，有很低的壓降，因此IGBT可以做到很高電壓（目前最大6500V），但由于載流子存在，IGBT關(guān)斷是電流會(huì)拖尾，關(guān)斷速度會(huì)減低；

MOS管就是MOSFET的簡(jiǎn)稱了；

IGBT和MOS管是全控器件，是電壓型驅(qū)動(dòng)，即通過控制柵極電壓來(lái)開通或關(guān)斷器件；可控硅是半控器件，電流型驅(qū)動(dòng)，即給柵極通一定的電流，可以是可控硅開通，但是一旦開通，就不受柵極控制，將柵極的電壓電流信號(hào)去除，仍然保持開通，只用流過可控硅的電流減小，或可控硅AK兩端加反壓，才能關(guān)斷；

IGBT和MOS管頻率可以做到幾十上百KHz，但可控硅一般在1KHz以內(nèi)。

IGBT單管和MOS管的區(qū)別：

1、從結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，以N型溝道為例，IGBT與MOSFET（VDMOS）的差別在于MOSFET的襯底為N型，IGBT的襯底為P型。

2、從原理上說(shuō)IGBT相當(dāng)與一個(gè)mosfet和一個(gè)BIpolar的組合，通過背面P型層的空穴注入降低器件的導(dǎo)通電阻，但同時(shí)也會(huì)引入一些拖尾電流等問題。

3、從產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，IGBT一般用在高壓功率產(chǎn)品上，從600V到幾千伏都有；MOSFET應(yīng)用電壓相對(duì)較低從十幾伏到1000左右。

MOS管就是MOSFET的簡(jiǎn)稱

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