IGBT主要參數-IGBT的測試方法和mosfet的對比分析

IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場效應晶體管（MOSFET）和電力晶體管（GTR）相結合的產物。它具有輸入阻抗高、驅動功率小、開關損耗低、溫度特性好以及開關頻率高等特點。它比GTR（或BJT）更為新穎。IGBT模塊的擊穿電壓已達到1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A，最高工作頻率可達30～40kHz，以IGBT為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10kHz以上，故電動機的電流波形比較平滑，電磁噪聲很小。缺點是斷態時的擊穿電壓較低（最大約3.3kV），功耗較大，電路較復雜。

IGBT測試方法

IGBT是通過柵極驅動電壓來控制的開關晶體管，廣泛用于變頻器中作為直流逆變成交流的電力電子元件。IGBT管的結構和工作原理與場效應晶體管（通常稱為MOSFET管）相似。IGBT管的符號如圖2所示。G為柵極，C為集電極，E為發射極。

萬用表測試IGBT管的方法如下：

（1）確定三個電極假定管子是好的，先確定柵極G。將萬用表打到R×10kΩ擋，若測量到某一極與其他兩極電阻值為無窮大，而調換表筆后測得該極與其他兩極電阻值為無窮大，則可判斷此極為柵極（G）。再測量其余兩極。若測得電阻值為無窮大，而調換表筆后測得電阻值較小，此時紅表筆（實為負極）接的為集電極（C），黑表筆（實為正極）接的為發射極（E）。

（2）確定管子的好壞將萬用表打到R×10kΩ擋，用黑表筆接C極，紅表筆接E極，此時萬用表的指針在零位，用手指同時觸及一下G極和C極，萬用表的指針擺向電阻值較小的方向（IGBT被觸發導通），并指示在某一位置再用手指同時觸及G極和E極，萬用表的指針回零（IGBT被阻斷），即可判斷IGBT是好的。

如果不符合上述現象，則可判斷IGBT是壞的。用此立法也可測試功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。

IGBT的主要參數

（1）集電極-發射極額定電壓UCES是IGBT在截止狀態下集電極與發射極之間能夠承受的最大電壓，一般UCES小于或等于器件的雪崩擊穿電壓。

（2）柵極-發射極額定電壓UGE是IGBT柵極與發射極之間允許施加的最大電壓，通常為20V。柵極的電壓信號控制IGBT的導通和關斷，其電壓不可超過UGE。

（3）集電極額定電流IC是IGBT在飽和導通狀態下，允許持續通過的最大電流。

（4）集電極-發射極飽和電壓UCE是IGBT在飽和導通狀態下，集電極與發射極之間的電壓降。該值越小，則管子的功率損耗越小。

（5）開關頻率在IGBT的使用說明書中，開關頻率是以開通時間tON、下降時間t1和關斷時間tOFF給出的，根據這些參數可估算出IGBT的開關頻率，一般可達30～40kHz。在變頻器中，實際使用的載波頻率大多在15kHz以下。

IGBT與mosfet的對比

輸出特性與轉移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。IGBT作為開關器件穩態時主要工作在飽和導通區。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線性關系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

壹芯微科技針對二三極管,MOS管作出了良好的性能測試，應用各大領域，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹