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來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-11-27 瀏覽：-IPD60R2K0C6場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 代換 規(guī)格書資料下載 - MOS管廠家 - 壹芯微
IPD60R2K0C6場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)代換,IPD60R2K0C6封裝引腳圖,IPD60R2K0C6規(guī)格書(數(shù)據(jù)手冊(cè))
(圖：IPD60R2K0C6場(chǎng)效應(yīng)管 TO-252封裝引腳圖)
壹芯微供應(yīng)IPD60R2K0C6系列場(chǎng)效應(yīng)管，可替代昂貴的國(guó)外知名品牌對(duì)應(yīng)型號(hào)。
IPD60R2K0C6場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)如下：
| 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 650 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGSS | ±20 | V |
| 單脈沖雪崩電流 | IAR | 0.4 | A |
| 柵極-源極電壓 | ID | 2.4 | A |
| 漏極電流-脈沖 | IDM | 6 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 11 | mJ |
| 重復(fù)雪崩能量 | EAR | 0.06 | mJ |
| 二極管恢復(fù)峰值 | dv/dt | 15 | V/ns |
| 功耗,(TC = 25°C) | PD | 22.3 | W |
| 工作結(jié)溫范圍 | TJ | -55~150 | °С |
| 貯存溫度范圍 | TSTG | -55~150 | °С |
(參數(shù)表：絕對(duì)最大額定參數(shù)與電氣特性等)
IPD60R2K0C6.PDF規(guī)格書/數(shù)據(jù)手冊(cè)(點(diǎn)擊紅色字體下載)
壹芯微(二,三極管,MOS管專業(yè)生產(chǎn)商)主要生產(chǎn)與銷售：肖特基二極管,整流二極管,TVS二極管,快恢復(fù)二極管,超快恢復(fù)二極管,高效整流二極管,晶體三極管,MOSFET/場(chǎng)效應(yīng)管,可控硅,三端穩(wěn)壓管,整流橋堆,IC集成電路;工廠直銷價(jià),品質(zhì)保障,提供售前選型,送樣測(cè)試,技術(shù)支持,售后FEA,如需了解產(chǎn)品報(bào)價(jià)及詳細(xì)信息,歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服。
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