IRFR320參數 中文資料 規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微

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描述

第三代功率MOSFET提供了設計師與快速切換的最佳組合，堅固耐用的設備設計，低導通電阻和成本效益。DPAK設計用于使用蒸汽進行表面安裝相位、紅外或波峰焊接技術。 直的引線版本（IRFU、SiHFU系列）用于通孔安裝應用。 功耗水平高達1.5W在典型的表面貼裝應用中是可能的。

IRFR320場效應管封裝:TO-252,TO-251

絕對最大額定值（TC=25°C，除非另有說明）

漏源電壓(VDSS)：400V

柵源電壓(VGSS)：±20V

雪崩電流(IAR)：3.1A

漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：3.1A

漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：2.0A

漏極電流-脈沖(IDM)：12A

單脈沖雪崩能量(EAS)：160mJ

重復雪崩能量(EAR)：4.2mJ

二極管恢復峰值(dv/dt)：4.0V/ns

功耗(TC=25°C)(PD)：42W

功耗(TC=100°C)(PD)：2.5W

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С

熱阻-結到外殼(RθJC)：°C/W

熱阻-結到環境(RθJA)：°C/W

焊接的最高引線溫度(TL)：260°С

封裝規格如下:

〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數達標，質量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術支持，專業售后，如需了解產品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網在線客服。

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