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        IRLR3110Z TO-252 MOS管100V 63A N溝道 足參數(shù)

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-09-11 瀏覽:-

        IRLR3110Z TO-252 MOS管100V 63A N溝道 足參數(shù)

        IRLR3110Z TO-252 MOS管100V 63A N溝道 足參數(shù)

        IRLR3110Z(N溝道增強型場效應晶體管);IRLR3110Z場效應管參數(shù);IRLR3110Z場效應管封裝引腳圖;IRLR3110Z場效應管中文資料規(guī)格書(PDF);  

        電流(ID):63A,電壓(VDSS):100V,封裝形式:TO252  

        IRLR3110Z

        產(chǎn)品概要

        導通電阻RDS(on)1=2.8mΩ(典型值)

        輸入電容Ciss=17000pF(typ)

        4.5V驅(qū)動

        無鹵合規(guī)

        絕對最大額定參數(shù)(TC=25C,除非另有說明)

        Drain-to-Source Voltage 漏源電壓 VDSS:60V

        Gate-to-Source Voltage 柵源電壓 VGSS:±20V

        Drain Current(DC) 漏極電流(DC) ID:100A

        Drain Current(Pulse) 漏極電流(脈沖)IDP PW≤10μs, duty cycle≤1%:400A

        Allowable Power Dissipation 允許功耗 PD Tc=25°C:90W

        Channel Temperature 通道溫度 Tch:150°C

        Storage Temperature 儲存溫度 Tstg:-55 to +150°C

        Avalanche Energy 雪崩能量(單脈沖)*1 EAS:549mJ

        Avalanche Current 雪崩電流*2 IAV:70A

        超過最大額定值的應力可能會損壞設備。最大額定值僅是壓力額定值。推薦操作以上的功能操作

        條件不是隱含的。長期暴露于高于推薦工作條件的應力可能會影響器件的可靠性。

        IRLR3110Z 參數(shù)

        IRLR3110Z參數(shù)

        IRLR3110Z參數(shù)

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