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        晶體管與場效應(yīng)管的認(rèn)識和理解

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-04-08 瀏覽:-

        晶體管與場效應(yīng)管的認(rèn)識和理解

        為什么要把晶體管和場效應(yīng)管一起講,因為他們?nèi)菀谆煜黄鹫f明更容易區(qū)別學(xué)習(xí)。

        首先 晶體管。

        我們也稱為三極管,分為PNP、和NPN型。在工藝上通常是一個半導(dǎo)體注入5價元素或3價元素來制作PNP或者NPN。

        晶體管與場效應(yīng)管的認(rèn)識和理解

        結(jié)構(gòu)如上圖

        一般是使用硅管或者鍺管,而且固定壓降是0.7v和0.3v。也就是說當(dāng)三極管正常工作時時Ube = 0.7v/0.3V

        各個級的英文單詞,方便記憶。e:elimt 發(fā)射,c:collect收集 b:base。

        三極管會有三個狀態(tài):放大、截至、飽和。

        放大狀態(tài):當(dāng)發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏時,即UB<UC, UB>UE ,發(fā)射級的電子成功發(fā)射到集電極,這個時候,由ib控制ic,ic=βib(β為放大系數(shù)),所以三極管也叫電流控制電流的器件。這個時候,ic只受ib的控制(因為集電極電路影響很小,近似認(rèn)為只受)

        截至狀態(tài):Ib=0,ic=0,或者發(fā)射結(jié)反偏都時截至狀態(tài),這個時候集電極和發(fā)射極都相當(dāng)于開路。

        飽和狀態(tài):發(fā)射極和集電極都正偏處于飽和狀態(tài)。這個時候ic不在受ib的控制,并且uce所占電壓很小,相當(dāng)于導(dǎo)線,工程上我們認(rèn)為硅飽和導(dǎo)通uce的壓降為0.3v,鍺管為0.1v。

        第二主角:場效應(yīng)管

        我們也稱mos管,它是一種電壓控制電流的器件,有三個級,柵級g、漏極d、源極s。

        晶體管與場效應(yīng)管的認(rèn)識和理解

        分為三個形態(tài),我們著重講增強型。

        增強型的場效應(yīng)管,有四個區(qū),分別為截至區(qū),可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)和過損耗區(qū)。

        可變電阻區(qū)特點:當(dāng)Uds較小時,Id隨Ugs增大而增大。

        恒流區(qū):當(dāng)Ugs一定時,Uds對id的影響很小。

        截止區(qū):當(dāng)電壓小于開啟電壓1.5v時,mos不工作。

        擊穿區(qū):當(dāng)uDS達到一定值時,場效應(yīng)管被擊穿,ID突然增大。管子很容易燒壞。

        過損耗區(qū):id和uds都比較高,長期處于這種狀態(tài),沒有很好的散熱措施,很可能由于功率較大,管子燒壞。

        而耗盡型和增強型的區(qū)別就在于,當(dāng)ug=0是,耗盡型ds相當(dāng)于導(dǎo)通,而增強有開啟電壓。

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