解析TVS管的主要電參數是什么

TVS管器件的主要電參數：

(1)最小擊穿電壓VBR　　

當TVS流過規定的電流時，TVS兩端的電壓稱為最小擊穿電壓，在此區域，TVS管呈低阻抗的通路。在25℃時，低于這個電壓，TVS管是不會發生雪崩擊穿的。

(2)額定反向關斷電壓VWM　　

VWM是TVS管在正常狀態時可承受的電壓，此電壓應大于或等于被保護電路的正常工作電壓。但它又需要盡量與被保護電路的正常工作電壓接近，這樣才不會在TVS管工作以前使整個電路面對過壓威脅。按TVS管的VBR與標準值的離散度，可把VBR分為5％和10％兩種，對于5％的VBR來說，VWM=0.85VBR腿；而對于10％的VBR來說，VWM=0.81VBR。

(3)最大峰值脈沖電流IPP

IPP是TVS管在反向狀態工作時，在規定的脈沖條件下，器件允許通過的最大脈沖峰值電流。

(4)箝位電壓Vc　

當脈沖峰值電流Ipp流過TVS管時，其兩端出現的最大電壓值稱為箝位電壓Vc。Vc和Ipp反映了TVS管的浪涌抑制能力。通常把Vc與VBR之比稱為箝位因子(系數)，其值一般在1.2～1.4之間。實際使用時，應使Vc不大于被保護電路的最大允許安全電壓，否則被保護器件將面臨被損壞的可能。

(5)最大峰值脈沖功耗PM　　

PM通常是最大峰值脈沖電流Ipp與箝位電壓Vc的乘積，也就是最大峰值脈沖功耗。它是TVS管能承受的最大峰值脈沖功耗值。在給定的最大鉗位電壓下，功耗PM越大，其浪涌電流的承受能力越大。另外，峰值脈沖功耗還與脈沖波形、脈沖持續時間和環境溫度有關。而且，TVS管所能承受的瞬態脈沖是不可重復施加的。

(6)電容量C　　

TVS管的電容是由其硅片的截面積和偏置電壓來決定的，它是在1 MHz特定頻率下測得的。C的大小與TVS管的電流承受能力成正比，C太大，將使信號衰減。因此，電容C是數據接口電路選用TVS管的重要參數。

(7)漏電流IR　　

IR是最大反向工作電壓施加到TVS管上時，TVS管的漏電流。當TVS管用于高阻抗電路時，這個漏電流IR一個重要參數。

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