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        MOS場(chǎng)效應(yīng)管的四個(gè)區(qū)域你知道嗎

        返回列表來(lái)源:壹芯微 發(fā)布日期 2019-05-10 瀏覽:-

        壹芯微作為國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)二三極管的生產(chǎn)廠家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,進(jìn)口的測(cè)試儀器,可以很好的幫組到客戶(hù)朋友穩(wěn)定好品質(zhì),也有專(zhuān)業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質(zhì)量,協(xié)助客戶(hù)朋友解決一直客戶(hù)自身解決不了的問(wèn)題,每天會(huì)分享一些知識(shí)或者客戶(hù)的一些問(wèn)題,今天我們分享的是,MOS場(chǎng)效應(yīng)管的四個(gè)區(qū)域,請(qǐng)看下方

        N溝道增強(qiáng)型MOS管的四個(gè)區(qū)域

        1)可變電阻區(qū)(也稱(chēng)非飽和區(qū))

        滿(mǎn)足Ucs》Ucs(th)(開(kāi)啟電壓),uDs《UGs-Ucs(th),為圖中預(yù)夾斷軌跡左邊的區(qū)域其溝道開(kāi)啟。在該區(qū)域UDs值較小,溝道電阻基本上僅受UGs控制。當(dāng)uGs一定時(shí),ip與uDs成線(xiàn)性關(guān)系,該區(qū)域近似為一組直線(xiàn)。這時(shí)場(chǎng)效管D、S間相當(dāng)于一個(gè)受電壓UGS控制的可變電阻。

        2)恒流區(qū)(也稱(chēng)飽和區(qū)、放大區(qū)、有源區(qū))

        滿(mǎn)足Ucs≥Ucs(h)且Ubs≥UcsUssth),為圖中預(yù)夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區(qū)域,在該區(qū)域內(nèi),當(dāng)uGs一定時(shí),ib幾乎不隨UDs而變化,呈恒流特性。i僅受UGs控制,這時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管D、S間相當(dāng)于一個(gè)受電壓uGs控制的電流源。場(chǎng)效應(yīng)管用于放大電路時(shí),一般就工作在該區(qū)域,所以也稱(chēng)為放大區(qū)。

        3)夾斷區(qū)(也稱(chēng)截止區(qū))

        夾斷區(qū)(也稱(chēng)截止區(qū))滿(mǎn)足ucs《Ues(th)為圖中靠近橫軸的區(qū)域,其溝道被全部夾斷,稱(chēng)為全夾斷,io=0,管子不工作。

        4)擊穿區(qū)位

        擊穿區(qū)位于圖中右邊的區(qū)域。隨著UDs的不斷增大,PN結(jié)因承受太大的反向電壓而擊穿,ip急劇增加。工作時(shí)應(yīng)避免管子工作在擊穿區(qū)。

        轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)可以從輸出特性曲線(xiàn)。上用作圖的方法求得。例如在圖3( a)中作Ubs=6V的垂直線(xiàn),將其與各條曲線(xiàn)的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐標(biāo)中連成曲線(xiàn),即得到轉(zhuǎn)移性曲線(xiàn),如圖3(b)所示。

        MOS場(chǎng)效應(yīng)管

        mos場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)

        場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但普通運(yùn)用時(shí)只需關(guān)注以下主要參數(shù):飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up,(結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,或開(kāi)啟電壓UT(加強(qiáng)型絕緣柵管)、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。

        (1)飽和漏源電流

        飽和漏源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流。

        (2)夾斷電壓

        夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道管的UGS一ID曲線(xiàn),可明白看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UGS-ID曲線(xiàn)。

        MOS場(chǎng)效應(yīng)管

        (3)開(kāi)啟電壓

        開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線(xiàn),可明白看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線(xiàn)。

        MOS場(chǎng)效應(yīng)管

        (4)跨導(dǎo)

        跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。

        (5)漏源擊穿電壓

        漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必需小于BUDS。

        (6)最大耗散功率

        最大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。

        (7)最大漏源電流

        最大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許經(jīng)過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。

        MOS管工作原理

        MOS管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí),溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

        MOS場(chǎng)效應(yīng)管

        mos場(chǎng)效應(yīng)管作用

        一、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。

        二、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。

        三、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。

        四、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

        五、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。

        壹芯微科技針對(duì)二三極管作出了良好的性能測(cè)試,應(yīng)用各大領(lǐng)域,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷(xiāo)售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹

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