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        MOS管保護(hù)電路知識(shí)-MOS管自鎖保護(hù)電路功能的制作方法介紹

        返回列表來(lái)源:壹芯微 發(fā)布日期 2020-06-26 瀏覽:-

        MOS管保護(hù)電路知識(shí)-MOS管自鎖保護(hù)電路功能的制作方法介紹

        本實(shí)用新型屬于電路保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種保護(hù)電路,具體是一種自鎖保護(hù)電路。

        背景技術(shù)

        隨著電子技術(shù)的發(fā)展,電子器件應(yīng)用于各行各業(yè),面對(duì)各種嚴(yán)酷的工作環(huán)境,對(duì)電路的保護(hù)尤為重要。如果電子器件在工作中出現(xiàn)問題,而沒有保護(hù)電路工作,就會(huì)造成電子器件壽命安全性降低,或直接損壞燒毀,造成難以估計(jì)的損失。因而為了保證電子器件的安全性和可靠性,一種有效的保護(hù)電路是非常重要的。

        由于各種復(fù)雜的使用環(huán)境,電子器件在使用過(guò)程中難免會(huì)碰到嚴(yán)酷的超過(guò)器件本身額定的工作條件,或是人為操作失誤,而這種情況下可能瞬間就會(huì)對(duì)電子器件產(chǎn)生損害,人工無(wú)法在很短時(shí)間內(nèi)對(duì)電子器件進(jìn)行斷電保護(hù)。

        技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素

        本實(shí)用新型的目的在于提供一種自鎖保護(hù)電路,可以在電路發(fā)生故障需要斷開總電源時(shí),實(shí)現(xiàn)斷開電源后保持自鎖,直到故障解決,電路重新上下電后,重新恢復(fù)到工作狀態(tài)。

        本實(shí)用新型的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):

        一種自鎖保護(hù)電路,包括電源VCC、MOS管Q1和三個(gè)三極管Q2、Q3、Q4,所述電源VCC連接MOS管Q1的漏級(jí),所述MOS管Q1的源級(jí)連接用電器;

        所述電源VCC與MOS管Q1的漏級(jí)之間具有結(jié)點(diǎn)M1,所述結(jié)點(diǎn)M1通過(guò)電阻R1連接MOS管Q1的柵極;

        所述電阻R1與MOS管Q1的柵極之間具有結(jié)點(diǎn)M2,所述結(jié)點(diǎn)M2連接三極管Q2的集電極,所述三極管Q2的發(fā)射級(jí)接地;

        所述電阻R1與結(jié)點(diǎn)M1之間具有結(jié)點(diǎn)M3,所述結(jié)點(diǎn)M3連接三極管Q3的集電極,所述三極管Q3的發(fā)射極通過(guò)電阻R2接地;

        所述三極管Q3的發(fā)射極與電阻R2之間具有結(jié)點(diǎn)M4,所述結(jié)點(diǎn)M4分別連接三極管Q2的基級(jí)和三極管Q4的基級(jí);

        所述電源VCC與結(jié)點(diǎn)M1之間具有結(jié)點(diǎn)M5,所述結(jié)點(diǎn)M5通過(guò)電阻R3連接三極管Q4的發(fā)射極,所述三極管Q4的集電極接地;

        所述三極管Q4的發(fā)射極與電阻R3之間具有結(jié)點(diǎn)M6,所述結(jié)點(diǎn)M6連接二極管D1的正極,所述二極管D1的負(fù)極連接三極管Q3的基級(jí);

        所述二極管D1的負(fù)極與三極管Q3的基極之間具有結(jié)點(diǎn)M7,所述結(jié)點(diǎn)M7連接反饋控制端。

        進(jìn)一步地,所述反饋控制端采用MCU單片機(jī)、過(guò)壓保護(hù)電路、過(guò)流保護(hù)電路或過(guò)溫保護(hù)電路。

        進(jìn)一步地,所述MOS管Q1采用N型MOS管。

        進(jìn)一步地,所述三極管Q2、Q3均采用NPN型三極管,所述三極管Q4采用PNP型三極管。

        本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型提供的自鎖保護(hù)電路,通過(guò)控制MOS管給用電器供電,通過(guò)反饋控制端給入反饋控制信號(hào)控制MOS管的通斷,實(shí)現(xiàn)切斷用電器電源,通過(guò)三個(gè)三極管的開關(guān)效應(yīng)形成環(huán)路控制實(shí)現(xiàn)自鎖保護(hù)功能,保持用電器斷路狀態(tài),避免電路在問題未解決時(shí)反復(fù)重啟問題,同時(shí)在解決電路問題后重新上下電后,正常給用電器供電,大大提高了電路的安全性,有效保證了用電器電路板壽命和可靠性,保證用電器的安全,成本低,適用于各種電子產(chǎn)品的保護(hù)電路搭配,大大降低了電子器件損壞的風(fēng)險(xiǎn),有效保證了電子產(chǎn)品的品質(zhì)、安全性和可靠性。

        附圖說(shuō)明:下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

        圖1是本實(shí)用新型的電路原理圖。

        mos,g極,保護(hù)電路

        具體實(shí)施方式

        下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

        如圖1所示,本實(shí)用新型提供了一種自鎖保護(hù)電路,包括電源VCC、連接電源VCC和用電器的MOS管Q1以及用于環(huán)路自鎖控制的三個(gè)三極管Q2、Q3、Q4。

        其中,MOS管Q1采用N型MOS管,具有柵極、源級(jí)和漏級(jí)三個(gè)接點(diǎn)。三極管Q2、Q3、Q4均具有基極、集電極和發(fā)射級(jí)三個(gè)接點(diǎn),其中,三極管Q2、Q3均采用NPN型三極管,三極管Q4采用PNP型三極管。

        電源VCC連接MOS管Q1的漏級(jí)D,MOS管Q1的源級(jí)S連接用電器,作為用電器的電源輸入;電源VCC與MOS管Q1的漏級(jí)D之間具有結(jié)點(diǎn)M1,結(jié)點(diǎn)M1通過(guò)電阻R1連接MOS管Q1的柵極G。

        電阻R1與MOS管Q1的柵極G之間具有結(jié)點(diǎn)M2,結(jié)點(diǎn)M2連接三極管Q2的集電極C2,三極管Q2的發(fā)射級(jí)E2接地。

        電阻R1與結(jié)點(diǎn)M1之間具有結(jié)點(diǎn)M3,結(jié)點(diǎn)M3連接三極管Q3的集電極C3,三極管Q3的發(fā)射極E3通過(guò)電阻R2接地。

        三極管Q3的發(fā)射極E3與電阻R2之間具有結(jié)點(diǎn)M4,結(jié)點(diǎn)M4分別連接三極管Q2的基級(jí)B2和三極管Q4的基級(jí)B4。

        電源VCC與結(jié)點(diǎn)M1之間具有結(jié)點(diǎn)M5,結(jié)點(diǎn)M5通過(guò)電阻R3連接三極管Q4的發(fā)射極E4,三極管Q4的集電極C4接地。

        三極管Q4的發(fā)射極E4與電阻R3之間具有結(jié)點(diǎn)M6,結(jié)點(diǎn)M6連接二極管D1的正極,二極管D1的負(fù)極連接三極管Q3的基級(jí)B3。

        二極管D1的負(fù)極與三極管Q3的基極B3之間具有結(jié)點(diǎn)M7,結(jié)點(diǎn)M7連接反饋控制端。反饋控制端采用MCU單片機(jī)、過(guò)壓保護(hù)電路、過(guò)流保護(hù)電路或過(guò)溫保護(hù)電路等,當(dāng)檢測(cè)到用電器出現(xiàn)過(guò)壓、過(guò)流或過(guò)溫等故障時(shí),輸出反饋控制信號(hào)(高電平信號(hào))到結(jié)點(diǎn)M7。

        本實(shí)用新型工作原理

        系統(tǒng)上電后,MOS管Q1導(dǎo)通,用電器正常工作;當(dāng)反饋控制端檢測(cè)到用電器出現(xiàn)過(guò)壓、過(guò)流或過(guò)溫等故障時(shí),輸出高電平信號(hào)到結(jié)點(diǎn)M7,此時(shí)三極管Q3導(dǎo)通,結(jié)點(diǎn)M4的電平被拉高,進(jìn)而三極管Q2導(dǎo)通,結(jié)點(diǎn)M2的電平被拉低,使得MOS管Q1斷開,用電器斷電;同時(shí),因結(jié)點(diǎn)M4的電平被拉高,導(dǎo)致三極管Q4斷開,從而保證結(jié)點(diǎn)M7電壓被鎖定在高電平狀態(tài),即MOS管Q1被鎖定在斷開狀態(tài),直到系統(tǒng)斷電重啟后恢復(fù)正常導(dǎo)通狀態(tài)。

        本實(shí)用新型提供的自鎖保護(hù)電路,通過(guò)控制MOS管給用電器供電,通過(guò)反饋控制端給入反饋控制信號(hào)控制MOS管的通斷,實(shí)現(xiàn)切斷用電器電源,通過(guò)三個(gè)三極管的開關(guān)效應(yīng)形成環(huán)路控制實(shí)現(xiàn)自鎖保護(hù)功能,保持用電器斷路狀態(tài),避免電路在問題未解決時(shí)反復(fù)重啟問題,同時(shí)在解決電路問題后重新上下電后,正常給用電器供電,大大提高了電路的安全性,有效保證了用電器電路板壽命和可靠性,保證用電器的安全,成本低,適用于各種電子產(chǎn)品的保護(hù)電路搭配,大大降低了電子器件損壞的風(fēng)險(xiǎn),有效保證了電子產(chǎn)品的品質(zhì)、安全性和可靠性。

        在本說(shuō)明書的描述中,參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書中,對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且,描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

        以上內(nèi)容僅僅是對(duì)本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)所作的舉例和說(shuō)明,所屬本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代,只要不偏離實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)或者超越本權(quán)利要求書所定義的范圍,均應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

        技術(shù)總結(jié)

        本實(shí)用新型公開了一種自鎖保護(hù)電路,通過(guò)控制MOS管給用電器供電,通過(guò)反饋控制端給入反饋控制信號(hào)控制MOS管的通斷,實(shí)現(xiàn)切斷用電器電源,通過(guò)三個(gè)三極管的開關(guān)效應(yīng)形成環(huán)路控制實(shí)現(xiàn)自鎖保護(hù)功能,保持用電器斷路狀態(tài),避免電路在問題未解決時(shí)反復(fù)重啟問題,同時(shí)在解決電路問題后重新上下電后,正常給用電器供電,大大提高了電路的安全性,有效保證了用電器電路板壽命和可靠性,保證用電器的安全,成本低,適用于各種電子產(chǎn)品的保護(hù)電路搭配,大大降低了電子器件損壞的風(fēng)險(xiǎn),有效保證了電子產(chǎn)品的品質(zhì)、安全性和可靠性。

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