MOS管并聯的相關知識

一、MOS管并聯理論：

(1)、三極管(BJT)具有負的溫度系數，即當溫度升高時，導通電阻會變小。

(2)、MOS管具有正的溫度系數，即當溫度升高時，導通電阻會逐漸變大。

MOS管的這一特性適合并聯電路中的均流，因此當電路中電流很大時，一般會采用并聯MOS管的方法來進行分流。采用MOS管進行電流的均流時，當其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時，電流大的MOS管產生的熱量多，從而引起導通電阻的增大，減少流過的電流。MOS管之間根據電流大小的不同來反復調節，最后可實現兩個MOS管之間的電流均衡。

二、MOS管并聯注意事項：

(1)、各個MOS管的柵極不能直接相連，柵極要分別串接驅動電阻進行驅動，以防止振蕩。持一致，因為如果不一致，先開啟的MOS管或后關斷的MOS管會因為電流過大而擊穿損壞。

(3)、為了以防萬一，最好在各個MOS管的源極串接均流電阻，當然這并非強制選項。

三、MOS管并聯應用：

(1)、功率開關MOSFET的集成IC芯片，其內部是將大量的小MOS管并聯連接起來的，這樣每一個MOS管單元中流過的電流很小，防止局部的電流集中(若電流局部集中，則器件就損壞)，但是電路總體可以通過較大的電流，非常適合驅動電機等重負載設備。當然多個MOS管并聯還可以改善高頻特性，這已經成為目前功率開關MOS管的主要結構。

(2)、電池等供電設備是移動設備獲取電力的主要來源之一，但是一般的高功率電池供電電流都非常大(功率使用可以達到100A),因此僅僅使用單MOS管作為開關器件還不能滿足大電流的應用目的，這時多個MOS管并聯便能大展身手了。

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