MOSFET（場效應管）和BJT（雙極結型晶體管）是現代電路設計中應用最廣泛的兩種有源半導體器件。它們在相同場景下的選擇，本質上是 “電壓控制”與“電流控制” 、 “單極型”與“雙極型” 特性的權衡。

下圖清晰展示了它們的核心差異、對比與典型應用分野：

典型應用場景選擇指南

1. 開關電源（DC-DC轉換器、逆變器）

首選：MOSFET。

理由：開關頻率高（可達MHz），驅動簡單，開關損耗和導通損耗低。負溫度系數特性便于并聯，適合大電流應用。現代同步整流技術完全依賴MOSFET。

BJT的應用：基本被淘汰，僅在極低成本的離線式線性電源中作為調整管。

2. 電機驅動（有刷直流、步進電機、H橋）

首選：MOSFET。

理由：需要快速PWM控制以降低噪音和振動，MOSFET的快速開關和低導通損耗是關鍵。H橋電路中，使用互補的N溝道和P溝道MOSFET（或全部N溝道+驅動芯片）是標準方案。

BJT的應用：僅用于極低速、對效率無要求的小型玩具電機。

3. 線性放大電路（音頻放大器、傳感器信號放大）

分立器件音頻功放：

輸出級：常用BJT（互補達林頓管），因其線性度好，跨導高，能提供更溫暖的音質（主觀）。

前級小信號放大：JFET或BJT更常見，因其噪聲性能和線性度優于MOSFET。

傳感器微弱信號放大：

輸入級：常選用JFET或BJT，追求極低噪聲和良好線性。MOSFET的1/f噪聲（閃爍噪聲）通常高于JFET和BJT。

4. 射頻（RF）功率放大器

高頻（>1GHz）：GaAs FET或LDMOS FET（一種特殊的MOSFET）占主導。

低頻、高功率、低成本：BJT（特別是硅鍺材料）仍有應用，因其增益和線性度在某些頻段有優勢。

5. 數字邏輯電路與微處理器

絕對統治：CMOS（互補MOSFET）。

理由：靜態功耗幾乎為零，集成密度極高，噪聲容限大。這是現代所有CPU、內存、數字芯片的基礎。

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