壹芯微作為國內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)二三極管的生產(chǎn)廠家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,進(jìn)口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩(wěn)定好品質(zhì),也有專業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質(zhì)量,協(xié)助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分享一些知識或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,MOS管IRLML6401參數(shù),請看下方

MOS管IRLML6401參數(shù)

PD最大耗散功率：1.3W

ID最大漏源電流：-4.3A

V(BR)DSS漏源擊穿電壓：-12V

RDS(ON)Ω內(nèi)阻：50MΩ

VRDS(ON)ld通態(tài)電流：-4.3A

VRDS(ON)柵極電壓：-4.5V

VGS(th)V開啟電壓：-0.4~0.95V

VGS(th)ld(μA)開啟電流：-250μA

Gfs(min)S跨導(dǎo)：8.6S

Gfs(min)VDS漏源電壓：-10V

Gfs(min)lo通態(tài)電流：-4.3A

封裝:SOT-23

黑膠長:最小值2.8mm，最大值3.0mm

黑膠寬：最小值1.2mm，最大值1.4mm

黑膠高：最小值0.9mm，最大值1.0mm

壹芯微科技針對二三極管作出了良好的性能測試，應(yīng)用各大領(lǐng)域，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報價以及產(chǎn)品介紹