MOS管，它究竟是什么？具備怎樣的特性？在控制器電路中，MOS管存在多個工作狀態，而MOS主要的損耗與這些狀態息息相關。

一、MOS的工作狀態主要包括：開啟狀態（由截至到導通的過渡過程）、導通狀態、關閉狀態（由導通到截至的過渡過程）、截至狀態。

二、MOS主要的損耗包括：開關損耗（開啟狀態和關閉狀態）、導通損耗、截至損耗（由漏電流引起的，這部分損耗一般忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要這些損耗控制在MOS承受規格范圍內，MOS就能夠正常運行；一旦超出范圍，MOS就會遭受損壞。值得一提的是，開關損耗往往大于導通狀態損耗，不同類型的MOS管這個差距可能會相當大。

三、造成MOS損壞的主要原因有：

過電流：持續大電流或瞬間超大電流導致結溫過高而引發燒毀。

過壓：源極和漏極之間的過壓擊穿、源極和柵極之間的過壓擊穿。

靜電：靜電擊穿，對于CMOS電路來說，都是一個不可忽視的威脅。

四、MOS開關原理：

MOS是一種電壓驅動型器件，只要柵極和源極之間施加適當的電壓，源極和漏極之間的通路就會形成。這個通路的電阻被稱為MOS內阻，即導通電阻。這個內阻的大小基本上決定了MOS芯片能夠承受的最大導通電流；內阻越小，承受電流就越大（因為發熱量較?。?/p>

五、防止MOS損壞：

MOS問題遠不止這些。麻煩在于其柵極和源極之間、源極和漏極之間，以及柵極和漏極之間，都存在著等效電容。因此，給柵極施加電壓就是給這些電容充電的過程；而MOS的源極和漏極之間的開啟過程則受到柵極電容充電過程的制約。

然而，這三個等效電容之間是串并聯關系，彼此相互影響，而不是獨立的。其中一個關鍵電容是柵極和漏極之間的電容Cgd，也被稱為米勒電容。這個電容隨著柵極和漏極之間的電壓變化而迅速變化。米勒電容是給柵極和源極電容充電的絆腳石，因為一旦柵極給柵 - 源電容Cgs充電達到一個平臺后，柵極的充電電流就會被用于給米勒電容Cgd充電。這時，柵極和源極之間的電壓不再升高，達到了一個平臺，也就是所謂的米勒平臺。

Gs極加電容，減慢MOS管的導通時間，有助于減小米勒振蕩。這樣可以防止MOS管的燒毀。

如果充電速度過快，就會導致劇烈的米勒振蕩；而充電速度過慢，則會減小振蕩，但會延長開關時間，增加開關損耗。MOS的開啟過程從無窮電阻到導通內阻很小的阻值，是一個轉變過程。

總之，選擇Qgs和Qgd小的MOS管，并且同時具有低內阻，可以有效減小損耗。