NCEP60T12AK參數,NCEP60T12AK MOS管報價免費送樣 - 壹芯微

NCEP60T12AK場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：60V；電流(ID)：120A；封裝(Pageke)：TO-252；

大芯片，高品質，原廠批量直銷，提供技術支持，免費送樣測試，替代原裝進口品牌型號

漏源電壓 VDS 60V

柵源電壓 VGS ±20V

漏極電流-連續（硅限制） ID 120A

漏極電流-連續(TC=100℃) ID (100℃) 100A

脈沖漏極電流 IDM 480A

最大功耗 PD 180W

降額系數 1.2W/℃

單脈沖雪崩能量（注 5） EAS 500mJ

工作結點和存儲溫度范圍 TJ,TSTG -55 至 175℃

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