NVD5862N(MOS場(chǎng)效應(yīng)管) NVD5862N主要參數(shù)中文資料 - 壹芯微

NVD5862N場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù) 極性：N溝道；電壓(VDSS)：60V；電流(ID)：98A；封裝(Pageke)：TO-252；

大芯片，高品質(zhì)，原廠批量直銷(xiāo)，提供技術(shù)支持，免費(fèi)送樣測(cè)試，替代原裝進(jìn)口品牌型號(hào)

• 60V 5.7mΩ @ 98A

• 低 RDS(on)以最大限度地減少傳導(dǎo)損耗

• 高電流能力

• 指定雪崩能量

• AEC-Q101認(rèn)證和PPAP能力

• 這些器件無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)BFR且符合RoHS

合規(guī)

Drain−to−Source Voltage 漏源電壓 VDSS：60V

Gate−to−Source Voltage 柵源電壓 VGSL：20V

Continuous Drain Current 連續(xù)漏極電流 RθJC(注 1)穩(wěn)定的狀態(tài)TC=25°C ID：98A

Continuous Drain Current 連續(xù)漏極電流 RθJC(注 1)穩(wěn)定的狀態(tài)TC=100°C ID：69A

Power Dissipation 功耗 RθJC(注 1)穩(wěn)定的狀態(tài)TC=25°C PD：115W

Power Dissipation 功耗 RθJC(注 1)穩(wěn)定的狀態(tài)TC=25°C PD：58W

Continuous Drain Current 連續(xù)漏極電流 RθJA(注 1和2)穩(wěn)定的狀態(tài)TC=25°C ID：18A

Continuous Drain Current 連續(xù)漏極電流 RθJA(注 1和2)穩(wěn)定的狀態(tài)TC=100°C ID：13A

Power Dissipation 功耗 RθJA(注 1和2)穩(wěn)定的狀態(tài)TC=25°C PD：4.1W

Power Dissipation 功耗 RθJA(注 1和2)穩(wěn)定的狀態(tài)TC=100°C PD：2.0W

Pulsed Drain Current 脈沖漏極電流 TA=25°C, tp=10μs IDM：367A

Current Limited by Package 電流受封裝限制 TA=25°C IDmaxpkg：60A

Operating Junction and Storage Temperature 工作結(jié)點(diǎn)和存儲(chǔ)溫度 TJ, Tstg：−55 to 175°C

Source Current (Body Diode) 源電流(體二極管) IS：96A

Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy 單脈沖漏源雪崩能量 EAS：205mJ

Lead Temperature for Soldering Purposes 用于焊接目的的引線溫度 TL：260°C

超過(guò)最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞

設(shè)備。如果超過(guò)這些限制中的任何一個(gè)，設(shè)備功能不應(yīng)

假設(shè)，可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。

壹芯微致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，至今已有20年半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。目前壹芯微產(chǎn)品已經(jīng)在便攜性設(shè)備、電動(dòng)車(chē)、LED照明、家電、鋰電保護(hù)、電機(jī)控制器等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，幫助合作伙伴解決符合國(guó)情、符合國(guó)際質(zhì)量的國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。除提供免費(fèi)試樣外，更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制二三極管MOS管產(chǎn)品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費(fèi)試樣熱線：13534146615(微信同號(hào)) QQ：2881579535 或請(qǐng)咨詢官網(wǎng)在線客服。