P溝道場效應(yīng)MOS管作為開關(guān)作用的條件(GS >GS(TH)) - 壹芯微

P溝道(場效應(yīng))MOS管作為開關(guān)，柵源的閥值為-0.4V，當(dāng)柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導(dǎo)通，如果S為2.8V，G為1.8V，那么GS=-1V，mos管導(dǎo)通，D為2.8V；如果S為2.8V，G為2.8V，VGSw，那么mos管不導(dǎo)通，D為0V，所以，如果2.8V連接到S，要mos管導(dǎo)通為系統(tǒng)供電，系統(tǒng)連接到D，利用G控制。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關(guān)斷，低電平使mos管導(dǎo)通。

如果控制G的GPIO的電壓區(qū)域?yàn)?.8V，那么GPIO高電平的時(shí)候?yàn)?.8V，GS為1.8-2.8=-1V，MOS管導(dǎo)通，不能夠關(guān)斷。

GPIO為低電平的時(shí)候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導(dǎo)通。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導(dǎo)通和關(guān)閉。

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