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        PIN二極管參數(shù)-PIN二極管結(jié)構(gòu)原理圖

        返回列表來(lái)源:壹芯微 發(fā)布日期 2020-04-02 瀏覽:-

        PIN二極管參數(shù)-PIN二極管結(jié)構(gòu)原理圖

        PIN二極管參數(shù)

        1.插入損耗:開關(guān)在導(dǎo)通時(shí)衰減不為零,稱為插入損耗

        2.隔離度:開關(guān)在斷開時(shí)其衰減也非無(wú)窮大,稱為隔離度

        3.開關(guān)時(shí)間:由于電荷的存儲(chǔ)效應(yīng),PIN管的通斷和斷通都需要一個(gè)過(guò)程,這個(gè)過(guò)程所需時(shí)間

        4.承受功率:在給定的工作條件下,微波開關(guān)能夠承受的最大輸入功率

        5.電壓駐波系數(shù):僅反映端口輸入,輸出匹配情況

        6.視頻泄漏

        7.諧波:PIN二極管也具有非線性,因而會(huì)產(chǎn)生諧波,PIN開關(guān)在寬帶應(yīng)用場(chǎng)合,諧波可能落在使用頻帶內(nèi)引起干擾。開關(guān)分類:反射式和吸收式,吸收式開關(guān)的性能較反射式開關(guān)優(yōu)良

        PIN二極管參數(shù)

        PIN二極管結(jié)構(gòu)

        一般的二極管是由N型雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料和P型雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料直接構(gòu)成形成PN結(jié)。而PIN二極管是在P型半導(dǎo)體材料和N型半導(dǎo)體材料之間加一薄層低摻雜的本征(Intrinsic)半導(dǎo)體層。

        因?yàn)楸菊靼雽?dǎo)體近似于介質(zhì),這就相當(dāng)于增大了P-N結(jié)結(jié)電容兩個(gè)電極之間的距離,使結(jié)電容變得很小。其次,P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體中耗盡層的寬度是隨反向電壓增加而加寬的,隨著反偏壓的增大,結(jié)電容也要變得很小。

        由于I層的存在,而P區(qū)一般做得很薄,入射光子只能在I層內(nèi)被吸收,而反向偏壓主要集中在I區(qū),形成高電場(chǎng)區(qū),I區(qū)的光生載流子在強(qiáng)電場(chǎng)作用下加速運(yùn)動(dòng),所以載流子渡越時(shí)間常量減小,從而改善了光電二極管的頻率響應(yīng)。同時(shí)I層的引入加大了耗盡區(qū),展寬了光電轉(zhuǎn)換的有效工作區(qū)域,從而使靈敏度得以提高。

        PIN二極管參數(shù)

        PIN二極管原理

        因?yàn)镻IN二極管的射頻電阻與直流偏置電流有關(guān),所以它可以用作為射頻開關(guān)和衰減器。串聯(lián)射頻開關(guān)電路:當(dāng)二極管正偏時(shí),即接通(短路);當(dāng)二極管零偏或者反偏時(shí),不僅開關(guān)的最高工作頻率會(huì)受到限制,最低工作頻率也會(huì)受到限制,如PIN管就不能控制直流或低頻信號(hào)的通斷。受管子截止頻率的影響,開關(guān)還有一個(gè)上限工作頻率。要求開關(guān)的頻帶盡量寬,因?yàn)樾盘?hào)源的頻帶越來(lái)越寬。

        壹芯微科技針對(duì)二三極管,MOS管作出了良好的性能測(cè)試,應(yīng)用各大領(lǐng)域,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹

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