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在正常情況下，反向偏置PN結中只有很小的電流。該泄漏電流保持恒定，直到反向電壓超過某個值。在此值之后，PN結突然開始具有大電流傳導（圖1.15）。這種突然和顯著的反向傳導是反向擊穿，如果沒有外部措施限制電流，可能會對器件造成損壞。反向擊穿通常設定固態器件的最大工作電壓。但是，如果采取適當的預防措施來限制電流，則反向擊穿可以用作非常穩定的參考電壓。

圖1.15 PN結二極管的反向擊穿
導致反向擊穿的一種機制是雪崩多重現象。考慮反向偏置PN結。隨著偏壓的增加，耗盡區域變寬，但不足以阻止電場強化。強大的電場以非常高的速度加速一些載流子穿過耗盡區。當這些載流子與晶體中的原子碰撞時，它們會撞擊松散的價電子并產生額外的載流子。因為載體可以通過撞擊產生額外的數千個外部載流子，就像雪球會產生雪崩一樣，因此這個過程被稱為雪崩多重現象。
反向擊穿的另一種機制是隧道效應。隧道是一種量子機制過程，無論任何障礙物，粒子都可以移動一小段距離。如果耗盡區足夠薄，則載流子可以通過隧穿跳過。隧穿電流主要由耗盡區的寬度和結上的電壓差決定。由隧道引起的反向擊穿稱為齊納擊穿。
結的反向擊穿電壓取決于耗盡區的寬度。耗盡區越寬，所需的擊穿電壓越高。如前所述，摻雜越輕，耗盡區越寬，擊穿電壓越高。當擊穿電壓小于5伏時，耗盡區太薄，主要是齊納擊穿。當擊穿電壓高于5伏時，主要是雪崩擊穿。設計用于反向導通狀態的PN二極管根據主導工作機制稱為齊納二極管或雪崩二極管。齊納二極管的擊穿電壓小于5伏，而雪崩二極管的擊穿電壓高于5伏。工程師經常將它們稱為齊納管，無論它們如何工作。因此，主要依賴于雪崩擊穿工作的7V齊納管可能會造成混淆。

實際上，結的擊穿電壓不僅與其摻雜特性有關，而且與其幾何形狀有關。上面的討論分析了平面結，其中兩個均勻摻雜的半導體區域在一個平面中相交。雖然一些真正的結接近這個理想，但大多數結是彎曲的。曲率增強了電場并降低了擊穿電壓。曲率半徑越小，擊穿電壓越低。該效應對薄結的擊穿電壓有很大影響。大多數肖特基二極管在金屬 - 硅界面的邊緣處具有明顯的故障。除非有特殊措施來削弱肖特基勢壘邊緣的電場，否則電場增強可以大大降低肖特基二極管的測量擊穿電壓。

圖1.16是上面討論的所有電路符號。 PN結使用直線表示陰極，而肖特基二極管和齊納二極管對陰極端進行一些修改。在所有這些圖例中，箭頭的方向表示二極管正向偏置下的電流方向。在齊納二極管中，此箭頭可能有些誤導，因為齊納二極管通常在反向偏置狀態下工作。對于不經意的觀察者，該符號應插入短語“方向反轉”旁邊。
圖1.16 PN結，肖特基二極管和齊納二極管的電路圖符號。在一些電路圖符號中，箭頭是空心或半箭頭。