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來源:壹芯微 發(fā)布日期
2021-08-23 瀏覽:-SI2302場效應(yīng)管參數(shù) SI2302中文資料pdf封裝引腳圖報價規(guī)格書
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型號:SI2302;極性:N溝道;ID/VDSS:2.5A/20V;封裝:SOT-23
N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)


產(chǎn)品參數(shù)概要
· ID:2.5A
· VDSS:20V
· RDS(ON)=72m? @VGS=4.5V
· RDS(ON)=110m? @VGS=2.5V
SI2302用于極低Rds(ON)的高密度電池設(shè)計獲得無鉛產(chǎn)品,堅固可靠,SOT-23封裝。

絕對最大額定參數(shù)(參數(shù)與最大值)如下
· Drain-Source Voltage(漏源電壓Vds):-20v
· Gate-Source Voltage(柵源電壓Vgs):±8v
· Continuous Drain Current(漏極電流Id 25℃):-2.8A
· Continuous Drain Current(漏極電流Id 70℃):-10A
· Power Dissipation(功率損耗Pd):1.25W
· Junction and Storage Temperature Range(溫度范圍):-55~150℃
壹芯微SI2302數(shù)據(jù)手冊下還有熱特性,靜態(tài)特性與電電氣參數(shù)等,建議自行閱讀觀看。
SI2302,SOT23數(shù)據(jù)手冊(查看下載)

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