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        SI2302場效應(yīng)管參數(shù) SI2302中文資料pdf封裝引腳圖報價規(guī)格書

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-08-23 瀏覽:-

        SI2302場效應(yīng)管參數(shù) SI2302中文資料pdf封裝引腳圖報價規(guī)格書

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        型號:SI2302;極性:N溝道;ID/VDSS:2.5A/20V;封裝:SOT-23

        N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

        SI2302,SOT23,MOS場效應(yīng)管封裝引腳圖


        SI2302,SOT23,MOS場效應(yīng)管封裝引腳圖 電路符號

        產(chǎn)品參數(shù)概要

        · ID:2.5A

        · VDSS:20V

        · RDS(ON)=72m? @VGS=4.5V

        · RDS(ON)=110m? @VGS=2.5V

        SI2302用于極低Rds(ON)的高密度電池設(shè)計獲得無鉛產(chǎn)品,堅固可靠,SOT-23封裝。

        SI2302,SOT23,MOS場效應(yīng)管參數(shù)概要

        絕對最大額定參數(shù)(參數(shù)與最大值)如下

        · Drain-Source Voltage(漏源電壓Vds):-20v

        · Gate-Source Voltage(柵源電壓Vgs):±8v

        · Continuous Drain Current(漏極電流Id 25℃):-2.8A

        · Continuous Drain Current(漏極電流Id 70℃):-10A

        · Power Dissipation(功率損耗Pd):1.25W

        · Junction and Storage Temperature Range(溫度范圍):-55~150℃

        壹芯微SI2302數(shù)據(jù)手冊下還有熱特性,靜態(tài)特性與電電氣參數(shù)等,建議自行閱讀觀看。

        SI2302,SOT23數(shù)據(jù)手冊(查看下載)

        SI2302,SOT23,MOS場效應(yīng)管,絕對最大額定參數(shù)

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