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        SiHFR320場效應(yīng)管參數(shù)代換,SiHFR320規(guī)格書下載,MOS管生產(chǎn)廠家

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-11-11 瀏覽:-

        SiHFR320場效應(yīng)管參數(shù)代換,SiHFR320規(guī)格書下載,MOS管生產(chǎn)廠家

        SiHFR320場效應(yīng)管參數(shù)及代換 (400V,3.1A) SiHFR320引腳圖 SiHFR320中文資料規(guī)格書(PDF)

        SiHFR320引腳圖

        SiHFR320.pdf 規(guī)格書下載

        SiHFR320詳細(xì)參數(shù)如下

        參數(shù)符號單位
        漏極-源極電壓VDSS400V
        柵極-源極電壓VGSS±20V
        雪崩電流IAR3.1A
        柵極-源極電壓ID3.1A
        漏極電流-脈沖IDM12A
        單脈沖雪崩能量EAS160mJ
        重復(fù)雪崩能量EAR4.2mJ
        二極管恢復(fù)峰值dv/dt4V/ns
        功耗,TC = 25 °CPD42W
        功耗,TA =   25 °C2.5
        結(jié)溫TJ150 °С
        工作溫度TOPR-55~+150 °С
        儲(chǔ)存溫度TSTG-55~+150 °С

        SiHFR320規(guī)格書


        SiHFR320規(guī)格書

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