三極管的導(dǎo)通條件介紹

NPN型三極管和PNP型三極管的導(dǎo)通條件，晶體管的工作區(qū)域可以分為三個(gè)區(qū)域:  

1.截止區(qū)：

其特征是發(fā)射結(jié)電壓小于開啟電壓且集電結(jié)反向偏置。對(duì)于共射電路，UBE<=UON且UCE>UBE 。此時(shí)IB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，鍺管的ICEO小于幾十微安。因此在近似計(jì)算時(shí)認(rèn)為晶體管截止時(shí)的iC=0。  

2.放大區(qū)：

其特征是發(fā)射結(jié)正向偏置（UBE大于發(fā)射結(jié)開啟電壓UON）且集電結(jié)反向偏置。對(duì)于共射電路，UBE>UON且UCE>=UBE （即UC>UB>UE）。此時(shí)的，iC幾乎僅決定于IB，而與UCE無關(guān)，表現(xiàn)出IB 對(duì) iC的控制作用，IC=?IB。在理想情況下 ，當(dāng)IB按等差變化時(shí)，輸出特性是一組橫軸的等距離平行線。（簡(jiǎn)單的說對(duì)于NPN型管子,是C點(diǎn)電位>B點(diǎn)電位>E點(diǎn)電位,對(duì)PNP型管子,是E點(diǎn)電位>B點(diǎn)電位>C點(diǎn)電位,這是放大的條件.）

3.飽和區(qū)：

其特征是發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正向偏置。對(duì)于共射電路，UBE>UON且 UCE<UBE。此時(shí)IC不僅與IB有關(guān)，而且明顯隨UCE增大而增大，IC<?IB。在實(shí)際電路中，如晶體管的UBE增大時(shí)，IB隨之增大，但I(xiàn)C增大不多或基本不變，則說明晶體管進(jìn)入飽和區(qū)。對(duì)于小功率管，可以認(rèn)為當(dāng)UCE=UBE，及UCB=0時(shí)，晶體管處于臨界狀態(tài)，及臨界飽和和臨界放大狀態(tài)。

要想使管子飽和導(dǎo)通,則應(yīng)該(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub。

在模擬電路中，絕大多數(shù)情況下應(yīng)保證晶體管工作在放大狀態(tài)。

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