場效應晶體管通常簡稱為場效應管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件，外形如圖4-21所示。和普通雙極型晶體管相比擬，場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特性，得到了越來越普遍的應用。

場效應管的品種很多，主要分為結型場效應管和絕緣柵場效應管兩大類，義都有N溝道和P溝道之分。 

絕緣柵場效應管也叫做金屬氧化物半導體場效應管，簡稱為M()S場效應管，分為耗盡型MOS管和加強型MOS管。 

場效應管還有單柵極管和雙柵極符之分。雙柵場效應管具有兩個相互獨立的柵極G1和G2，從構造上看相當于由兩個單柵場效應管串聯而成，其輸出電流的變化遭到兩個柵極電壓的控制。雙腑場效應管的這種特性，在作為高頻放大器、增益控制放大器、混頻器和解調器運用時會帶來很大方便。

4.2.1  怎樣辨認場效應管場效應管的文字符號為“VT”，圖形符號如閣4-22所示。

場效應管普通具有3個引腳，分別是柵極G、源極S和漏極D，它們的功用分別對應于雙極型晶體管的基極b、發射極e和集電極c。由于場效應管的源極S和漏極D是對稱的，實踐運用中能夠互換。雙柵極場效應管具有4個引腳，分別是柵極G1，和G2、源極S和漏極D。常用場效應管的引腳如圖4-23所示：運用中應留意辨認。

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