SPD02N50C3場效應管參數 (MOS管) SPD02N50C3規格書參數代換〔壹芯微〕

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SPD02N50C3場效應管主要參數（最大額定值）：

漏源電壓(VDSS)：560V

柵源電壓(VGSS)：±20V

雪崩電流(IAR)：1.8A

漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：1.8A

漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：1.1A

漏極電流-脈沖(IDPlus)：5.4A

單脈沖雪崩能量(EAS)：50mJ

重復雪崩能量(EAR)：0.07mJ

二極管恢復峰值(dv/dt)：15V/ns

功耗(TC=25°C)(Ptot)：25W

工作與貯存溫度范圍(Tj,Tstg)：-55~+150°С

熱阻-結到外殼(RθJC)：5°C/W

熱阻-結到環境(RθJA)：75°C/W

焊接的最高引線溫度(Tsold)：260°С

SPD02N50C3場效應管封裝規格：

PTO252-3-1,TO252-3-11,TO252-3-21(D-PAK)

〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數達標，質量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術支持，專業售后，如需了解產品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網在線客服。

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