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        STD2N62K3,STD2N62K3場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)_中文資料_規(guī)格書

        返回列表來(lái)源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-11-18 瀏覽:-

        STD2N62K3,STD2N62K3 MOS場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)_中文資料_規(guī)格書

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        STD2N62K3場(chǎng)效應(yīng)管封裝引腳圖


        STD2N62K3(TO-252)封裝引腳圖

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        STD2N62K3場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)如下:

        參數(shù)符號(hào)單位
        漏極-源極電壓VDSS620V
        柵極-源極電壓VGSS±30V
        單脈沖雪崩電流IAR2.2A
        柵極-源極電壓ID2.2A
        漏極電流-脈沖IDM8.8A
        單脈沖雪崩能量EAS85mJ
        重復(fù)雪崩能量EAR-mJ
        二極管恢復(fù)峰值dv/dt12V/ns
        功耗,(TC = 25°C)PD45/20/45W
        工作結(jié)溫范圍TJ-55~150 °С
        貯存溫度范圍TSTG-55~150 °С

        STD2N62K3規(guī)格書

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        深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
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